1) Study on Lithography Technique of Thick Photoresist
厚胶光刻技术研究
2) thick film photolithography
厚胶光刻
1.
Fabrication of large depth microstructure by using thick film photolithography-technology is a considerable option,but effect of nonlinear distortion on the photolithography surface profile quality severely limits its application.
利用厚胶光刻技术制作大深度微结构元件是一种有效的途径,但厚胶光刻过程中的非线性畸变对光刻面形质量的严重影响限制了该技术的应用,基于此,提出了一种对掩模透射率函数进行校正的方法。
3) photoresist stripping
光刻胶去除技术
1.
Recently, more attention has been paid to a novel photoresist stripping technology based on atmospheric pressure plasma.
光刻胶去除技术在微电子工业中占有非常重要的地位,约占集成电路制造工艺的30-35%,去胶的好坏直接影响产品的成品率及器件和电路的制造成本。
4) thick film photoresist
厚层光刻胶
1.
The angular spectrum theory is introduced to analyze optical diffraction lithography in thick film photoresist, and the reflection and transmission on the interface and the variation of dielectric coefficient in depth direction in thick film inhomogeneous resist are considered.
为快速、准确地获得厚层光刻胶内部衍射光场的分布,利用角谱理论的思想,考虑入射光通过掩模后在光刻胶面的反射、透射和光刻胶曝光过程中其折射率及吸收系数在深度方向上的变化,建立了衍射光场在厚层光刻胶中传输的理论模型。
5) thick film technique
厚胶技术
6) Res earch on optical label technology
光标记技术研究
补充资料：负性光刻胶
分子式：
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
CAS号：
性质：光加工是指以可见紫外光、X射线、电子束、或者离子束作为加工手段的材料处理工艺，具有加工精度高，容易自动化等特点，广泛用于集成电路和印刷电路板制造、印刷制版等领域。光加工用高分子材料指在光作用下材料物性或外形发生变化，以实现对被照材料本身或者被其覆盖材料加工处理的聚合材料。在这类材料中最重要的是在集成电路、激光照排制版和印刷电路制备中使用的光刻胶。根据光与聚合物之间发生的作用机理不同，可以分成光聚合或光交联型光刻胶，也称为负性光刻胶；光分解型光刻胶，也称为正性光刻胶。除了光刻胶之外，光敏涂料，光敏胶等在广义上也属于光加工高分子材料。采用激光引发聚合直接将聚合物零件加工成型的方法也引起工业界的广泛关注，成为结构复杂高分子零部件光加工用高分子材料中的重要成员，其特点是摆脱了模具束缚，可以完全由计算机设计、控制加工。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条