1) wafer inspection station
硅片光刻检验台
2) wafer inspection station
硅片检验台
3) silicon mesa etching
硅台刻蚀
4) laser trim table
光刻平台
1.
This paper discusses the laser trim table control development and design of laser resistor trimming system from the following aspects.
本文从以下几方面对激光调阻机的光刻平台系统进行了控制研究与设计： 结合实验分析了光刻平台的动、静态性能和定位精度对电阻光刻质量的影响，并针对目前最微小的0402型号电阻对光刻平台提出了控制要求。
5) wafer stage
硅片台
1.
Motion Control Analysis for a Wafer Stage Based on Multibody Modeling;
基于多刚体动力学模型的硅片台运动控制分析
2.
Motion control system of an ultra precision wafer stage with application to integrated circuit production was presented.
描述一种应用于集成电路制造的超精密硅片台系统及其运动控制。
3.
A nmlevel trackerr precision is required while scanning and exposing the wafer stage of 0.
1um光刻机硅片台在扫描曝光过程中要求纳米级的轨迹精度,采用直线电机承担大行程粗动控制和洛沦磁电机承担高精度微动控制的复合运动能满足要求。
6) full wafer lithography
整片光刻
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条