1) centrifugal barrier
离心势垒
2) isolation barrier
隔离势垒
3) over the barrier ionization
过势垒电离
1.
By considering two different ionization mechanisms: the tunneling ionization regime and the over the barrier ionization regime, it is found that the ionization behaviors are quite similar, while the high harmonic generation behaviors are very different.
通过讨论两种不同的电离机制 :隧穿电离机制和过势垒电离机制 ,发现电离变化的规律很相似 ,但高次谐波谱的变化规律却很不同。
4) ion implanted barrier
离子注入势垒
5) energy-barriers of molecular dissociation
分子解离势垒
6) potential barrier
势垒，位垒
补充资料：pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结势垒（barrierofp-njunction）
pn结的空间电荷区中，存在由n边指向p边的自建电场。因此，自然形成n区高于p区的电势差Vd。相应的电子势能之差即能带的弯曲量qVd称为pn结的势垒高度。pn结的p区和n区的多数载流子运动时必须越过势垒才能到达对方区域，载流子的能量低于势垒高度，就被势垒阻挡而不能前进，这个垫垒叫做pn结势垒。pn结的势垒高度与两边半导体中的杂质浓度及其分布、温度以及半导体材料的禁带宽度Eg有关。除pn结势垒外，还有金属与半导体接触的接触势垒（肖特基势垒）、半导体表面形成的表面势垒等。势垒高度受外加电场的影响，当外加电场削弱势垒区中电场时，势垒降低，载流子容易通过；外加电场加强势垒区的电场时，势垒高度升高，载流子不易通过。利用pn结势垒这一特性可制成整流、检波等多种半导体器件。
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参考词条