1) kinetics of dislocation motion
位错运动动力学
2) dislocation dynamics
位错动力学
1.
Based on the orderd cluster and dislocation, Crystallization of metal glass to nanocrystalline under shock wave is discussed by using dislocation dynamics.
从非晶的有序原子集团(ordered cluster)和位错模型出发,利用位错动力学讨论了在激波作用下,非晶合金晶化为纳米晶的过程。
2.
An attempt is made to elaborate the definition of the coefficient of strain-rate sensitivity, which is a fundamental concept for macroscopic dynamic plasticity and dislocation dynamics.
应变率敏感系数是宏观塑性动力学和位错动力学的一个基本概念，本文试图对其进行了重新解释。
3.
In the present work,the flow stress of FeCrNi alloy is divided into two parts,athermal stress(long- range)and thermally activated stress(short-range),based on the dislocation dynamics of plastic deformation of metal material.
以金属材料塑性变形的位错动力学为基础,将FeCrNi合金的流动应力分解为非热应力和热激活应力两部分。
3) dislocation movement
位错运动
1.
Meanwhile,the addition of Ca/Y and further impediment of the dislocation movement due to more .
1%Y(质量分数,下同)变质处理后的细晶强化和固溶强化作用提高了合金的拉伸强度和延伸率,同时由于Ca/Y元素的加入及晶界数量增多对位错运动的进一步阻碍作用降低了合金的应变振幅效应,从而降低了其阻尼性能;研究还发现Mg-0。
4) dislocation motion
位错运动
1.
To investigate the dislocation motion characteristics in low-temperature(LT) buffer during the growing process of lattice mismatched heterostructure,a 60° dislocation dipole and 5 types of ring-shaped hexagonal vacancy defects with their different relative positions to the dislocation are modeled in a Si crystal via molecular dynamics simulation.
为了研究晶格常数不匹配的异质结结构(Si1-xGex/Si)在生长过程中低温缓冲层内的位错运动特性,在Si晶体中建立了60°位错偶极子,以及相对于位错不同空间位置的5种六边形环状空位缺陷模型。
2.
To get the screw dislocation motion characteristic in the growing process of lattice mismatched heterostructures,a pair of screw dislocations is introduced in a full periodic Si crystal via dislocation dipole modeling.
通过Parrinello-Rahman方法对模型施加剪应力,并应用分子动力学计算位错运动速度及交滑移的发生与外加剪应力间的关系。
3.
We investigate the characteristics of dislocation motion as influenced by defects in a low temperature buffer during the growth of lattice-mismatched heterostructures(SiGe/Si).
为了研究晶格常数不匹配的异质结SiGe/Si生长过程中低温缓冲层内缺陷对位错运动的影响,使用位错偶极子模型在Si晶体内建立了一对30°部分位错,和导致30°部分位错运动的弯结结构,以及位错芯重构缺陷(RD)与弯结组合而生成的弯结-RD结构。
5) discrete dislocation dynamics
离散位错动力学
1.
The effect of boundary conditions on computer simulating dislocation patterns of a fatigued copper single crystals was studied by using the method of discrete dislocation dynamics in two-dimensional system.
利用二维离散位错动力学方法,研究了边界条件对计算机模拟疲劳Cu单晶位错花样的影响,结果表明:边界条件在模拟位错花样这类多体问题时是非常重要的;在其它模拟机制均完全相同的情况下,不同边界条件会形成不同的模拟结果,自由空间边界条件是最简单、也是最不现实的边界条件,模拟结果与实验结果相差甚远;而一维最近邻周期性边界条件与二维近邻周期性边界条件的模拟结果基本相同,与Cu单晶早期疲劳位错花样的实验比较吻合。
6) Dislocation dynamics simulation
位错动力学模拟
补充资料：量子力学中的力学量和算符
在量子力学中，当微观粒子处于某一状态时，它的力学量(如坐标、动量、角动量、能量等)一般不具有确定的数值，而是具有一系列可能值，每个可能值以一定的几率出现。当粒子所处的状态确定时，力学量具有某一可能值的几率也就完全确定。例如，氢原子中的电子处于某一束缚态时，它的坐标和动量都没有确定值，而坐标具有某一确定值r0或动量具有某一确定值p0的几率却是完全确定的。量子力学中力学量的这些特点是经典力学中的力学量所没有的。为了反映这些特点，在量子力学中引进算符来表示力学量。
算符是对波函数进行某种数学运算的符号。在代表力学量的文字上加"∧"号以表示这个力学量的算符。如坐标算符、动量算符。当粒子的状态用波函数 Ψ(r,t)描写时，坐标算符对波函数的作用就是r乘 Ψ(r,t),动量算符对波函数的作用则是微分：
可简单地写为
其他有经典类比的力学量都是r和p的函数，在量子力学中也是算符和的相应的函数。例如粒子绕原点的角动量在经典力学中是L)=r×p，因而在量子力学中角动量算符是
。
又如，在势为U(r)的力场中运动的粒子能量算符（也称哈密顿算符）为
算符是对波函数进行某种数学运算的符号。在代表力学量的文字上加"∧"号以表示这个力学量的算符。如坐标算符、动量算符。当粒子的状态用波函数 Ψ(r,t)描写时，坐标算符对波函数的作用就是r乘 Ψ(r,t),动量算符对波函数的作用则是微分：
可简单地写为
其他有经典类比的力学量都是r和p的函数，在量子力学中也是算符和的相应的函数。例如粒子绕原点的角动量在经典力学中是L)=r×p，因而在量子力学中角动量算符是
。
又如，在势为U(r)的力场中运动的粒子能量算符（也称哈密顿算符）为
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条