1) graded-junction transistor
缓变结晶体管
2) graded junction phototransistor
缓变结光电晶体管
3) graded-junction transistor
缓变生长晶体管
5) MM-HEMT
变缓冲层高迁移率晶体管
1.
Transport properties of two-dimensional electron gas (2DEG) are crucial to metamorphic high-electron-mobility transistors (MM-HEMT).
在变缓冲层高迁移率晶体管 (MM_HEMT)器件中 ,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用 。
6) graded junction diode
缓变结二极管
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条