1) HBT
异质结晶体管
1.
Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz;
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)
2.
Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances;
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
3.
A Study on Modeling of Frequency Characteristics for SiGe HBT s;
SiGe异质结晶体管频率特性模型研究
3) heterojunction bipolar transistor
异质结晶体管
1.
InGaP-GaAs thin base (8 nm) dual heterojunction material is grown by molecular beam extension ( MBE) , and a heterojunction bipolar transistor( HBT) with negative differential resistance ( NDR) characteristic is fabricated.
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
2.
A thin base (8nm) InGaP/GaAs dual heterojunction material is grown by MBE and a heterojunction bipolar transistor (HBT) with negative differential resistance (NDR) is fabricated.
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
5) SiGe heterojunction bipolar transistor
SiGe异质结双极晶体管
1.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
6) Si/SiGe HBTs
Si/SiGe异质结双极晶体管
补充资料：单结晶体管
只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区,两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法重掺杂制成 PN结作为发射极(图中)。当基极B1和B2之间加上电压时（图中b），电流从B2流向B1,并在结处基区对B1的电势形成反偏状态。如果将一个信号加在发射极上，且此信号超过原反偏电势时，器件呈导电状态。一旦正偏状态出现，便有大量空穴注入基区，使发射极和B1之间的电阻减小，电流增大，电势降低，并保持导通状态，改变两个基极间的偏置或改变发射极信号才能使器件恢复原始状态。因此，这种器件显示出典型的负阻特性（见图c）,特别适用于开关系统中的弛张振荡器，可用于定时电路、控制电路和读出电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条