补充资料：半导体二极管

半导体二极管
semiconductor diode

bondootle丁llgUon半导体二极管(semieonductor diode)具有两个电极和不对称电流一电压特性的双极型半导体器件。它的主要特点是具有单向导电性。所用的材料有硅、锗和化合物半导体。利用不同的材料，不同的掺杂浓度，不同的几何结构，可以制成不同用途、特性各异的半导体二极管。 分类按结构不同可分为点接触型半导体二极管和面接触型半导体二极管。①点接触型:由一根金属丝与半导体表面相接触形成的势垒而构成PN结，外加引线、管壳封装而成，如图1(a)所示。因其PN结面积小，结电容小，故适用于高频电路中，工作频率可达几百兆赫，但不能通过较大的电流，因而多用于高频的检波电路、混频电路中。肖特基二极管也是点接触型二极管，它的开启电压低，电荷存储效应小，能工作在更高的频率。②面接触型，如图l(b)、(。)所示。由于PN结的面积大，结电容大，故可通过较大的电流，适用于低频的整流电路中。攫鹭口 (a)P型扩散层/引线┌───────┐│卜\、门.卜火日│├───────┤│以以\ ││N型硅 │└───────┘图1半导体二极管的结构及符号 (a)点接触型;(b)面接触型;(c)平面型;(d)图形符号工作原理半导体二极管的核心是PN结。利用掺杂工艺使同一半导体(如本征硅半导体)的一侧形成P型半导体，在另一侧形成N型半导体。P型半导体内空穴很多(称多子)，电子很少(称少子);N型半导体内电子很多(称多子)，空穴很少(称少子)。这样，在P型和N型半导体的交界处的区域内将形成PN结。P型侧的引线为二极管的阳极，N型侧的引线为二极管的阴极。 PN结的形成如图2(a)所示，在P型半导体和N型半导体的交界处，P型一侧的空穴浓度高，N型一侧的空穴浓度低。这种浓度差，导致空穴从P型侧向N型侧扩散，于是，P型侧在交界处便失去空穴，却留下带负电荷的负离子，如图2(a)中的“O”所示。由于浓度差造成的载流子移动称为扩散运动。同理，电子 (a，户户.。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。