1) MSBJT
金属-半导体双极晶体管
1.
Based on the superior properties of 4H-SiC and the basic structure of NPN Bipolar Junction Transistors(BJTs),a new Metal-Semiconductor BJTs(MSBJTs)is proposed, and its basic characteristics are analyzed with numerical simulation.
基于4H-SiC材料的优越特性和NPN双极晶体管的基本结构,本文提出了一种新型金属-半导体双极晶体管(MSBJT),并对其基本特性进行模拟和分析。
3) semiconductor,bipolar metal oxide(BiMOS)
双极金属氧化半导体
4) dual-gate MOSF ET
双极金属氧化物半导体场效应管
5) MISFET
金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
1.
The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET.
利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。
6) metal-ferroelectric-semiconductor(MFS)
金属-铁电体-半导体场效应晶体管
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条