1) p-n-p semiconductor triode
PNP半导体三极管
2) PNP semiconductor triode
PNP型晶体三极管
1.
According to the principle of PNP semiconductor triode,the method to determine the active status of the PNP triode in Emitter-Biased Amplifier can be investigated by using quantitative relations of equivalent supply voltage,quiescent voltage and the break-over voltage of Base-Emitter of the trioder.
根据PNP型晶体三极管的工作原理,借助等效电源电压和射极偏置放大器中晶体三极管静态工作点电压、基射极导通电压之间大小关系,研究了确定射极偏置放大器中PNP型晶体三极管工作状态的方法,提出了一种简易可行的判据。
3) germanium semiconductor triode
锗半导体三极管
4) semiconductor triode
半导体三极管
1.
Experimental studies on damage power of square wave electromagnetic pulse for the semiconductor triode
半导体三极管电磁脉冲损伤功率实验研究
5) silicon semiconductor triode
硅半导体三极管
6) alloy junction germanium pnp transistor
锗pnp合金三极管
补充资料：晶体三极管
| 晶体三极管 transistor 固态电子器件。由半导体材料制成的有源三端器件。是固态电子器件的一种。简称晶体管。1948年，美国J.巴丁、W.H.布喇顿和W.B.肖克莱发明了晶体三极管。次年，肖克莱提出PN结和面结型晶体管理论。此后随着半导体工艺技术不断成熟和发展，相继出现了不同结构的晶体三极管。晶体管按其内部导电机制分为双极型和场效应的两大类。双极型晶体管是一种电流控制器件，开关速度快，但输入阻抗低，功耗大。场效应晶体管是一种电压控制器件，输入阻抗高，功耗小，但开关速度较慢。晶体管几乎能完成电子管的所有功能，诸如放大、整流、振荡、开关等。同电子管相比，它具有体积小、重量轻、耗电少和高可靠等特点，广泛应用于各种电子电路中，是构成集成电路的基础元件。用于制作晶体管的半导体材料有锗、硅、砷化镓。硅晶体管平面工艺较成熟，常用于制造大规模和超大规模集成电路；砷化镓晶体管开关速度快，常用于制造超高速集成电路。锗晶体管发展较早，已不常用。
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参考词条