1) low-energy electron excited luminescence
低能电子激发发光
2) low energy cathodeluminescence
低能电子发光
3) electronic excitation energy
电子激发能
5) XPS
X光激发电子能谱
1.
The interfacial structures of double interface system of Si_3N_4/SiO_2/Si were examined using XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)before and after~(60)Co irradiation.
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。
2.
A depth profiles analysis of the irradiation effect of Si3N4/SiO2 doublegate medium under 60Coγ ray irradiation has been carried out by using the Xray photoemission spectroscopy (XPS) method, with Ar+ ion etching.
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析。
6) low lying excitation
低能激发
补充资料:低能电子
分子式:
CAS号:
性质:电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应,降低了分子离子的平均内能,容易获得较大丰度的分子离子峰。
CAS号:
性质:电子电离源中常规的电子能量为70eV。低于此能量的电子称为低能电子。低能电子条件下不会发生的高能反应,降低了分子离子的平均内能,容易获得较大丰度的分子离子峰。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条