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1)  electronic emission and excitation spectra
电子发散和激发光谱
2)  Excitation and emission spectra
激发和发射光谱
3)  XPS
X光激发电子能谱
1.
The interfacial structures of double interface system of Si_3N_4/SiO_2/Si were examined using XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)before and after~(60)Co irradiation.
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。
2.
A depth profiles analysis of the irradiation effect of Si3N4/SiO2 doublegate medium under 60Coγ ray irradiation has been carried out by using the Xray photoemission spectroscopy (XPS) method, with Ar+ ion etching.
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析。
4)  electronic absorption and emission spectra
电子吸收和发射光谱
5)  cathode luminescence
电子激发光
6)  LEAFS
激光激发原子荧光光谱
补充资料:激发光谱
      发光效率(或量子效率)随激发光波长λ的变化规律,它表征什么波段的激发光对发光最有效。计算效率时要算出整个发光光谱范围内的积分强度(激发光是单色的)。在分析发光机理时,有时可以监视某一波段范围内的积分强度,或者单一波长处的强度。以I表示发光强度,E表示激发光强度,α是吸收系数,d是样品厚度,则有,  (1)
  式中η(λ)是发光效率。如果样品很厚,或者发光中心的浓度很高,吸收很强,所有的激发光都被样品吸收了,则近似地得到η(λ)=I/E(λ)。
   (2)
  如果吸收很弱,则可近似为η(λ)=I/[2.3E(λ)α(λ)·d]。 (3)
  激发光谱的测试方法如图,其中S为光源,M为单色仪,PD为光检测器,检测激发光的强度,C为样品,经光接收系统等得到发光强度随λ的变化。这可以得到有关激发态的几种信息:①激发态的能谱。②利用式(2)可以确定η随激发光光波长的变化。从而了解无辐射跃迁。③利用②的结果和式(3),可以在不能测准吸收光谱的情况下,获得高分辨率的吸收光谱。这时需要用强度高的激发光源,例如可调谐激光器。④利用偏振光激发,可以判断发光中心在晶体中的位置的对称性。⑤可以用来分析在发光体中从敏化中心 (S)到发光中心(A)的能量传递效率。这时,只需测出只有S被激发时A的发光效率ηA及A直接被激发时A的发光效率ηA,其比值ηBA即代表能量传递的效率。
  
  激发光谱有重要的应用价值,例如日光灯灯管中水银蒸气发出的紫外线能量的90%集中在254nm,就得选择激发光谱峰值在此附近的荧光粉。
  

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参考词条