3) Laser evoked potentials
激光诱发电位
4) optically activated charge domain
光激发电荷畴
1.
The switching transition of high gain PCSS s can be described with an optically activated charge domain.
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值 ,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增 Ga As光电导开关的引发和维持相 ,理论计算结果与实验测试相符
补充资料：电激发
分子式：
CAS号：
性质：原子发射光谱分析的激发光源等离子区中的气态物质，由于电子的碰撞引起待测元素的激发发光现象。在火花光源中包括电激发与热激发两个过程。
CAS号：
性质：原子发射光谱分析的激发光源等离子区中的气态物质，由于电子的碰撞引起待测元素的激发发光现象。在火花光源中包括电激发与热激发两个过程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条