1) photosensitive film resist
光敏抗蚀膜
2) solvent dry film photoresist
溶剂型光敏抗蚀干膜
3) aqueous dry film photoresist
水溶性光敏抗蚀干膜
4) dry-photoresist
干膜光致抗蚀剂
5) resistless photochemical etching
无抗蚀膜光化学蚀刻
1.
A new method of resistless photochemical etching for silicon wafer is developed, which is using hydrogen peroxide (H 2O 2) and hydrogen fluoride (HF) as activated species, ArF ultraviolet laser as a photon source.
研究了一种在硅片上进行无抗蚀膜光化学蚀刻的新方法 ,使用过氧化氢 (H2 O2 )和氟酸 (HF)作为光化学媒质 ,使用ArF紫外激光作为光源 ,无需事先加工抗蚀膜 ,可直接在硅表面进行蚀刻。
6) acrylic acid dry film photoresist
丙烯酸光致抗蚀干膜
1.
Etchings of polyamic acid films based on ODA/BTDA or MPD/PMDA ,by means of an average acrylic acid dry film photoresist for etching of copper foils in printed circuits board industries ,used 4 % aqueous tetramethyammonium hydroxide(TMAH) as etchant, were prepared and converted to the corresponding etchings of polyimide by thermal treatment.
以普通丙烯酸光致抗蚀干膜为抗蚀层,采用对该抗蚀层进行二次UV曝光新工艺。
补充资料：溶剂型光敏抗蚀干膜
分子式：
CAS号：
性质：光敏抗蚀干膜有溶剂型和水溶性两种不同类型。由聚酯薄膜、感光层和聚乙烯薄膜三合一的感光膜。中间的感光层由成膜树脂、光聚合单体、光敏引发剂和多种助剂组成。其制法是将感光层的各种组分溶解于溶剂中配成胶液，在一定温度下涂布于聚酯薄膜，收卷成筒，包装成产品。使用时先将聚乙烯保护膜撕去，通过热将将感光层粘压到敷铜板上，再经紫外光曝光，显影时未感光的部分被洗去，感光部分黏附在金属表面形成图形，起抗蚀抗电镀作用。干膜涂布均匀，涂层较厚，图形边缘线条陡直，提供了很高的分辨率。采用三氯乙烷、二甲苯、乙酸丁酯等有机溶剂显影。抗蚀性能强，可耐碱、耐酸性腐蚀和电镀，性能稳定可靠。用于双面及多层电路板的生产，制作精密的耐腐蚀耐电镀图形，稳定性优于水溶性干膜。由于采用溶剂显影，成本高，毒性大，操作不便，污染环境，逐步被水溶性光敏抗蚀干膜所替代。
CAS号：
性质：光敏抗蚀干膜有溶剂型和水溶性两种不同类型。由聚酯薄膜、感光层和聚乙烯薄膜三合一的感光膜。中间的感光层由成膜树脂、光聚合单体、光敏引发剂和多种助剂组成。其制法是将感光层的各种组分溶解于溶剂中配成胶液，在一定温度下涂布于聚酯薄膜，收卷成筒，包装成产品。使用时先将聚乙烯保护膜撕去，通过热将将感光层粘压到敷铜板上，再经紫外光曝光，显影时未感光的部分被洗去，感光部分黏附在金属表面形成图形，起抗蚀抗电镀作用。干膜涂布均匀，涂层较厚，图形边缘线条陡直，提供了很高的分辨率。采用三氯乙烷、二甲苯、乙酸丁酯等有机溶剂显影。抗蚀性能强，可耐碱、耐酸性腐蚀和电镀，性能稳定可靠。用于双面及多层电路板的生产，制作精密的耐腐蚀耐电镀图形，稳定性优于水溶性干膜。由于采用溶剂显影，成本高，毒性大，操作不便，污染环境，逐步被水溶性光敏抗蚀干膜所替代。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条