1) point-pressure non-ohmic contact
点压型非欧姆接触
2) nonohmic contact
非欧姆接触
1.
Experimental results show that nonohmic contact between silver electrode and ceramic, and pores on the surface of electrode when welding flux permeates into the electrode, are two key factors for the performance of soldering.
通过对比实验发现,影响焊接性能的主要原因是银电极与元件之间形成的非欧姆接触以及助焊剂渗入烧结电极时,电极表面产生的气孔。
4) ohm contact
欧姆接触
1.
One of the important step of preparing diamond film capacitances is that the metal and diamond film form ohm contact while selecting the metal electrodes.
金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 。
2.
In consideration of semiconductor ceramic sensitive elements, the surface absorption layer and energy band structure of the semiconductor ceramic electrode ohm contact are analyzed by using the principle of metal-semiconductor ohm contact.
针对半导瓷敏感元件 ,应用金属半导体欧姆接触原理 ,分析了半导瓷电极欧姆接触的表面吸附层和能带结构 ;应用金属半导体欧姆接触的伏安特性 ,导出了金属半导瓷欧姆接触的导电机理 ,得出了电子隧穿效应和场发射是金属半导瓷欧姆接触的重要导电过程的结
5) ohmic contact
欧姆接触
1.
Calculation of specific contact resistance in ohmic contacts;
欧姆接触中接触电阻率的计算
2.
A Technique of Making Ohmic Contact with Cr and Au Plating Evaporated on the GaAs Epilayer;
GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析
3.
Investigation on the formation mechanism and diffusion of the electrode metal of oxidized Au/Ni/p-GaN ohmic contact in different alloying time;
氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为
6) Ohmic contacts
欧姆接触
1.
In the Ohmic contacts of LED electrodes,carriers have different transmission mechanisms be- tween metal electrode and semiconductor.
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。
2.
45) surface,changing the ratio of Ti/Al and altering annealing temperature and time,ohmic contacts whose contact resistance is 4.
45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4。
3.
Based on the mechanism of ohmic contacts,various kinds of methods for realizing ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMTs were introduced,such as surface treatment,metallization scheme,heavily doped technology and so on.
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。
补充资料：欧姆接触（Ohmiccontact）
欧姆接触（Ohmiccontact）
金属与半导体接触形成非整流的接触，即欧姆接触。它不产生明显的附加阻抗，也不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。欧姆接触在实际中有很重要的应用。半导体器件一般都要利用金属电极输入或输出电流，这就要求在金属和半导体之间有良好的欧姆接触。在超高频和大功率器件中，欧姆接触是设计和制造的关键问题之一。制作欧姆接触最常用的方法是用重掺杂的半导体与金属接触，常常是在n型或p型半导体上作一层重掺杂区后再与金属接触，形成金属-n -n或金属-p -p结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条