1) ohmic metallization
欧姆接触金属化
2) non alloyed Ohmic contacts
非合金化欧姆接触
3) ohm contact
欧姆接触
1.
One of the important step of preparing diamond film capacitances is that the metal and diamond film form ohm contact while selecting the metal electrodes.
金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 。
2.
In consideration of semiconductor ceramic sensitive elements, the surface absorption layer and energy band structure of the semiconductor ceramic electrode ohm contact are analyzed by using the principle of metal-semiconductor ohm contact.
针对半导瓷敏感元件 ,应用金属半导体欧姆接触原理 ,分析了半导瓷电极欧姆接触的表面吸附层和能带结构 ;应用金属半导体欧姆接触的伏安特性 ,导出了金属半导瓷欧姆接触的导电机理 ,得出了电子隧穿效应和场发射是金属半导瓷欧姆接触的重要导电过程的结
4) ohmic contact
欧姆接触
1.
Calculation of specific contact resistance in ohmic contacts;
欧姆接触中接触电阻率的计算
2.
A Technique of Making Ohmic Contact with Cr and Au Plating Evaporated on the GaAs Epilayer;
GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析
3.
Investigation on the formation mechanism and diffusion of the electrode metal of oxidized Au/Ni/p-GaN ohmic contact in different alloying time;
氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为
5) Ohmic contacts
欧姆接触
1.
In the Ohmic contacts of LED electrodes,carriers have different transmission mechanisms be- tween metal electrode and semiconductor.
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。
2.
45) surface,changing the ratio of Ti/Al and altering annealing temperature and time,ohmic contacts whose contact resistance is 4.
45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4。
3.
Based on the mechanism of ohmic contacts,various kinds of methods for realizing ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMTs were introduced,such as surface treatment,metallization scheme,heavily doped technology and so on.
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。
6) nonohmic contact
非欧姆接触
1.
Experimental results show that nonohmic contact between silver electrode and ceramic, and pores on the surface of electrode when welding flux permeates into the electrode, are two key factors for the performance of soldering.
通过对比实验发现,影响焊接性能的主要原因是银电极与元件之间形成的非欧姆接触以及助焊剂渗入烧结电极时,电极表面产生的气孔。
补充资料：欧姆，G.S.
德国电学家。国际单位制中电阻的单位欧（姆）即为纪念他而命名。1787年 3月16日生于巴伐利亚的埃尔朗根，1854年7月7日在幕尼黑逝世。1805年入埃尔朗根大学，后因学费昂贵而退学，经自学于1811年参加该校毕业考试并获哲学博士学位。1817年任科隆耶酥学院数学教授。1826年专攻物理学。用各种金属制成直径相同的导线,测定它们的电导率,证明了粗细不同的同一材料，在长度与截面积为一定比值时的电导率是相同的。他采用了比伏打电池稳定的塞贝克热电源，探索得电流等于电动势与回路总电阻之比的规律。1826年5月发表了《动电电路的数学研究》论文，提出了后来由G.R.基尔霍夫定形的欧姆定律公式。1833年接受纽伦堡工学院的职务。1841年伦敦皇家学会授予欧姆科普利奖章，一年后又任命欧姆为外籍会员。1849年欧姆被聘为慕尼黑大学教授。此后，欧姆又致力于结晶学和音响学方面的研究，创立了音响学方面的欧姆定律。
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参考词条