1) soldered ohmic contact
焊接的欧姆接触
2) ohm contact
欧姆接触
1.
One of the important step of preparing diamond film capacitances is that the metal and diamond film form ohm contact while selecting the metal electrodes.
金属与金刚石薄膜形成欧姆接触是电极金属的选取是制备金刚石薄膜电容的重要一步 。
2.
In consideration of semiconductor ceramic sensitive elements, the surface absorption layer and energy band structure of the semiconductor ceramic electrode ohm contact are analyzed by using the principle of metal-semiconductor ohm contact.
针对半导瓷敏感元件 ,应用金属半导体欧姆接触原理 ,分析了半导瓷电极欧姆接触的表面吸附层和能带结构 ;应用金属半导体欧姆接触的伏安特性 ,导出了金属半导瓷欧姆接触的导电机理 ,得出了电子隧穿效应和场发射是金属半导瓷欧姆接触的重要导电过程的结
3) ohmic contact
欧姆接触
1.
Calculation of specific contact resistance in ohmic contacts;
欧姆接触中接触电阻率的计算
2.
A Technique of Making Ohmic Contact with Cr and Au Plating Evaporated on the GaAs Epilayer;
GaAs外延层蒸镀Cr和Au膜制作欧姆接触及分析
3.
Investigation on the formation mechanism and diffusion of the electrode metal of oxidized Au/Ni/p-GaN ohmic contact in different alloying time;
氧气氛中p-GaN/Ni/Au电极在相同温度不同合金时间下的欧姆接触形成机制和扩散行为
4) Ohmic contacts
欧姆接触
1.
In the Ohmic contacts of LED electrodes,carriers have different transmission mechanisms be- tween metal electrode and semiconductor.
在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。
2.
45) surface,changing the ratio of Ti/Al and altering annealing temperature and time,ohmic contacts whose contact resistance is 4.
45)材料间的欧姆接触,由传输线模型方法测试得比接触电阻为4。
3.
Based on the mechanism of ohmic contacts,various kinds of methods for realizing ohmic contacts in AlGaN/GaN HEMTs were introduced,such as surface treatment,metallization scheme,heavily doped technology and so on.
从欧姆接触形成的机理出发,介绍了在AlGaN/GaN HEMT中实现源和漏区欧姆接触的各种方法,如表面处理技术、金属化系统和重掺杂技术等。
5) nonohmic contact
非欧姆接触
1.
Experimental results show that nonohmic contact between silver electrode and ceramic, and pores on the surface of electrode when welding flux permeates into the electrode, are two key factors for the performance of soldering.
通过对比实验发现,影响焊接性能的主要原因是银电极与元件之间形成的非欧姆接触以及助焊剂渗入烧结电极时,电极表面产生的气孔。
6) ohmic contact
欧姆接触[冶]
补充资料:欧姆
欧姆(1787~1854) Ohm,Georg Simon 德国物理学家。1787年3月16日生于巴伐利亚的埃朗根,1854年7月6日卒于慕尼黑。1811年毕业于埃朗根大学并取得哲学博士学位。1817~1826年在科隆大学预科教授数学和物理学,后在柏林从事研究并任教,1833年任纽伦堡综合技术学校物理学教授。1849年任慕尼黑大学教授。 欧姆最重要的贡献是建立电路定律。他于1825年开始进行电导率方面的实验,用自制的细长金属丝测定出几种金属的相对电导率。用同样材料不同粗细的导线做实验得出:如果导线的长度和横截面成正比,则它们的电导值相同。他设计了显示电流大小的仪器,并采用铜-铋组成的温差电偶作稳定电源 ,来研究电流与电源的策动力及导线长度的关系,并于1826年首先总结出电流的大小X等于 ,x为导体长度,a和b是两个常量,a取决于电偶材料和温差的策动力,b取决于电偶对电流的阻力。又总结出关系式:X=A/L,A为该导体上所有电张力的总和(即该导体两端电势差),L为其等效长度(相当于电阻)。这就是欧姆定律。1827年出版了他的著作《伽伐尼电路:数学研究》。 |
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参考词条