1) monolithic bipolar transistor
单块双极晶体管
2) single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)
单异质结双极型晶体管
3) single heterojunction bipolar transistor
单异质结双极晶体管
1.
A self-aligned InP/GaInAs single heterojunction bipolar transistor(HBT) is investigated using a novel T-shaped emitter.
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管。
4) SHBT
单异质结双极性晶体管
1.
The design and realization of a 10 Gb/s transimpedance amplifier were reported based on base-emitter self-align and InGaAs/InP SHBT triple mask process.
介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。
5) Bipolar transistors
双极晶体管
1.
The peudo heterojunction bipolar transistor(PHBT) is a homojunction bipolar transistorhaving a moderately doped emitter and a heavily doped base, providing a bandgap profile similar toactual heterojunction bipolar transistors (HBT).
具有重掺杂基区和中等掺杂发射区的硅赝异质结双极晶体管（ＰＨＢＴ），其能带结构类似于真实异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的能带结构，本文研究了硅赝异质结双极晶体管的电流增益，截止频率和基区电阻等电学参数性能及其与温度的关系，并指出了硅赝异质结双极晶体管在低温下应用的潜力。
2.
The apparent bandgap narrowing in bipolar transistors with ion implanted and epitaxial Si 0.
这种方法从双极晶体管的集电极电流公式出发 ,利用 VBE做自变量 ,在室温和液氮温度下测量器件的Gum mel图 ,选取 ln IC随 VBE变化最为线性的一部分读出 VBE及相应的 IC数值 ,获得两条 VBE- ln IC直线 ,通过求解两条直线的交点可以计算出基区的禁带变窄量ΔEG。
6) Bipolar transistor
双极晶体管
1.
A photocurrent compensation method of bipolar transistors under high dose rate radiation and its experimental research;
双极晶体管瞬态辐射光电流分流补偿法及其实验研究
2.
The circuit is constructed by a operational amplifier and bipolar transistor current mirrors with multiple outputs.
该电路由一集成运算放大器及多端输出的双极晶体管电流镜构成。
3.
The main structure and key performance parameters of the bipolar transistor were studied and designed,it was taped out and tested.
对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试。
补充资料：异质结双极型晶体管
发射区、基区和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。W.B.肖克莱于1951年提出这种晶体管的概念。70年代中期，在解决了砷化镓的外延生长问题之后，这种晶体管才得到较快的发展。最初称为"宽发射区"晶体管。其主要特点是发射区材料的禁带宽度EgB大于基区材料的禁带宽度EgE（图1）。图中 N代表能带宽的区域。从发射区向基区注入的电子流 Ip和反向注入的空穴流Ip所克服的位垒高度是不同的,二者之差为墹Eg＝EgE-EgB,因而空穴的注入受到极大抑制。发射极效率主要由禁带宽度差墹Eg决定，几乎不受掺杂比的限制。这就大大地增加了晶体管设计的灵活性。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
图2为典型的NPN台面型GaAlAs/GaAs异质结晶体管的结构和杂质剖面图。这种"反常"的杂质剖面能大幅度地减小发射结电容（低发射区浓度）和基区电阻（高基区浓度）。最上方的N+－GaAs顶层用来减小接触电阻。这种晶体管的主要电参数水平已达到：电流增益hfe1000,击穿电压BV120伏，特征频率fT15吉赫。它的另一些优点是开关速度快、工作温度范围宽(-269～+350)。
除了NPN型GaAs宽发射区管外，还有双异质结NPN型GaAs管、以金属做收集区的NPM型GaAs和PNP型GaAs管等。另一类重要的异质结晶体管是 NPN型InGaAsP／InP管。InGaAsP具有比GaAs更高的电子迁移率,并且在光纤通信中有重要应用。异质结晶体管适于作微波晶体管、高速开关管和光电晶体管。已试制出相应的高速数字电路(I2L)和单片光电集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条