1) IGBT
绝缘双极晶体管
2) IGBT
绝缘门极双极型晶体管
1.
When inverter power is developed as a large output power,it is usually limited by the electric current capacity of a single IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor).
该文针对逆变电源向大功率发展时受单管IGBT(绝缘门极双极型晶体管)电流容量限制的问题,受MOSFET(电力场效应晶体管)并联扩流成功应用的启发,提出采用多IGBT的并联技术,解决进一步提高逆变电源容量的难题。
3) IGBT
绝缘门极双极晶体管
1.
IGBT square wave power supply for A. C. arc welding;
绝缘门极双极晶体管(IGBT)交流方波弧焊电源
2.
The trend from traditional devices (represented by thyristor family) to power field effect devices (MOSFET) and isolated gate bipolar transistor (IGBT); 2.
现以IR公司为例,在回顾了电力电子技术的发展经过之后,着重指出电力电子近代发展的两个动向向:1)由晶闸管家族为代表的传统电力电子器件,在用量最大的中低压领域的主导地位现已让位于电力场效应管(MOSFET)和绝缘门极双极晶体管(IGBT)及其类似器件;2)在结构方面,由分立器件向集成化器件迅速转移。
4) isolation gate bipolar transistor(IGBT)
绝缘栅极双极型晶体管
5) IGBT
绝缘栅双极晶体管
1.
Principle and analysis of charger with IGBT;
绝缘栅双极晶体管(IGBT)充电器的原理及分析
2.
The Study of IGBT Welding Inverter;
绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究
3.
Development of IGBT;
IGBT绝缘栅双极晶体管发展简述
6) insulated gate bipolar transistor
绝缘栅双极晶体管
1.
Comparison was made between the mainstream device insulated gate bipolar transistor IGBT of power electronic device and other power electronic device in performances, putting forth that IGBT should according to actual conditions take relevant measures, then IGBT in application can be assured with good results, and IGBT will be assured in safe and reliable operation.
将电力电子装置中的主流器件绝缘栅双极晶体管IGBT与其它电力电子器件性能进行了比较。
补充资料：绝缘栅双极型晶体管
绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT
IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。 主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。 门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。 发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号 和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条