1) Silicon Control Rectifier
硅控整流器
2) silicon controlled rectifier
可控硅整流器
1.
The difference in terms of power supply energy consume, power factor, conversion efficiency between high frequency switching power supply (IGBT rectifier) and silicon controlled rectifier (SCR) were analyzed.
介绍了电镀电源的原理和发展历史,从电源能耗、功率因数、转换效率等方面分析了高频开关电源与可控硅整流器的区别,从而得出高频开关电源比可控硅整流器节能、环保,是电镀行业实现清洁生产的首选电源。
3) SCR
可控硅整流器
1.
In this paper, ISE-TCAD tool has been introduced to simulate the SCR-structured ESD protection and predict the characteristics of the circuit with a typical 0.
6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。
2.
Resistor, diode, MOS transistor, bipolar transistor and silicon controlled rectifier (SCR) are used for ESD protection of CMOS IC, which have made the technology of ESD protection for CMOS IC tend to be mature.
电阻、二极管、场效应晶体管、三极管、可控硅整流器等保护器件的有效应用使CMOS集成电路的ESD保护技术逐渐趋于成熟。
5) SCR Sillicon Control Rectifier
硅控制整流器
6) complementary SCR(CSCR)
互补硅控整流器
补充资料：半导体整流器
用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料制成的整流器。氧化亚铜整流器常用于电流很小的场合，如测量仪表中；硒、锗、硅整流器用于电流较大的场合；大电流的场合则用可控硅整流器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条