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1)  thyristack
可控硅整流器堆,硅堆
2)  silicon rectifier stack
硅整流堆
3)  thyristor stack
可控硅堆
4)  silicon controlled rectifier
可控硅可控硅整流器
5)  thyristor [θai'ristə]
硅可控整流器,可控硅
6)  silicon controlled rectifier
可控硅整流器
1.
The difference in terms of power supply energy consume, power factor, conversion efficiency between high frequency switching power supply (IGBT rectifier) and silicon controlled rectifier (SCR) were analyzed.
介绍了电镀电源的原理和发展历史,从电源能耗、功率因数、转换效率等方面分析了高频开关电源与可控硅整流器的区别,从而得出高频开关电源比可控硅整流器节能、环保,是电镀行业实现清洁生产的首选电源。
补充资料:反应堆与堆内构件振动监测


反应堆与堆内构件振动监测
reactor and internals vibration monitoring

fony旧gdu一yu du旧e一gouJ一on zhendong Jlonee反应堆与堆内构件振动监测(reactor andinternals vibration monitoring)用以监测反应堆压力容器及堆内构件的振动。 安装在压力容器上的4个加速度仪(l个在容器顶盖的螺栓上,3个在容器的下封头的堆芯中子侧t的贯穿管上),其信号与容器的加速度振动成正比。 通过采集堆外四个长中子电离室上部第二段和下部第五段的信号,并将其与反应堆功率成正比的平均注量率信号进行标称化处理,送噪声诊断系统,根据每个电离室各段上的差异,以测定堆内构件的振动,并监测异常情况。利用数据库中已有的数据,可以判断引起这种异常的原因。 堆内构件的振型有两种:梁式和壳式。梁式振型用以监侧嫩料组件和吊篮筒体的振动,这种振动改变了堆内构件结构和中子探侧器之间水层的厚度,导致探测器上侧得的中子注量率随上述结构的振动颇率而变化。 壳式振型用以监测堆内构件热屏的振动,这种振动导致堆芯筒体与热屏之间水层厚度的变化,从而影响中子撞击热屏时的能谱。由于热屏对中子的吸收与其能量有关,从而造成中子探侧器上信号的脉动。
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参考词条