2) selenium and silicon rectifier
硒硅整流器
3) Silicon Control Rectifier
硅控整流器
4) silicon controlled rectifier
可控硅整流器
1.
The difference in terms of power supply energy consume, power factor, conversion efficiency between high frequency switching power supply (IGBT rectifier) and silicon controlled rectifier (SCR) were analyzed.
介绍了电镀电源的原理和发展历史,从电源能耗、功率因数、转换效率等方面分析了高频开关电源与可控硅整流器的区别,从而得出高频开关电源比可控硅整流器节能、环保,是电镀行业实现清洁生产的首选电源。
5) high pressure silicon rectifier
高压硅整流器
6) high power silicon rectifier
大功率硅整流器
补充资料：半导体整流器
用硒、氧化亚铜、锗、硅等半导体材料制成的整流器。氧化亚铜整流器常用于电流很小的场合，如测量仪表中；硒、锗、硅整流器用于电流较大的场合；大电流的场合则用可控硅整流器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条