1) barrel type plasma etching system
圆筒型等离子体蚀刻系统
2) down stream plasma etching system
分离型等离子体蚀刻系统
3) plasma etching system
等离子体蚀刻系统
4) inductively coupled plasma etching system
感应耦合型等离子体蚀刻系统
5) magnetization magneto-microwave plasma etching system
磁场微波型等离子体蚀刻系统
6) plasma etching
等离子体刻蚀
1.
Effects of plasma etching on Nafion~ membrane performances;
等离子体刻蚀对Nafion~膜性能的影响
2.
Application of Emission Spectrometry in Trace Fluorine Analysis of Flue Gas from Plasma Etching;
发射光谱法在等离子体刻蚀废气微量F元素检测中的应用研究
3.
Study of the ECR plasma etching process of PZT ferroelectric thin film materials;
PZT铁电薄膜材料的ECR等离子体刻蚀研究
补充资料：感应耦合
感应耦合
inductive coupling
单位长度的平行导线间的电容值，对距离很近的导线可取c，=一opF/m。 图(b)为两条平行导线间磁场祸合的情况，11为干扰源电流有效值，频率为f，通过两导线间的互感M在另一导线的负荷RL:上产生电压UZ，R02为电源内阻，通常RoZ《R12，可用下式计算，即 UZ尧I，口M(2) 。一2二f，M可根据公式计算:M一M、l，M飞为单位长度的平行导线间的互感值，对距离很近的导线可取Ml=1拜H/m。 式(1)中的C、式(2)中的M都随两导线间距离的增加而减小，故加大干扰源与敏感设备的距离，也是减小感应祸合的方法之一。gonylng ouhe感应报合(induetive eoupling)近场辐射藕合的藕合方式，在工业技术中通常的术语是感应祸合。近场辐射辆合只用于说明基本的物理概念(见辐射藕合)。感应报合分为电场祸合(容性报合)和磁场报合(感性藕合)两种。 电场报合和磁场藕合的分析计算通常可用带有集中参数的电容或互感的等效电路.下图为两条导线之间的藕合及其等效电路.图(a)为两条平行导线间电场报合的情况，Ul为干扰源电压有效值，频率为f，通电越目卜· 电场辆合和磁场祸合及等效电路 (a)电场祸合;(b)磁场拐合过两导线间的电容C在另一回路的负荷电阻RLZ上产生干扰电压U:，RoZ为该回路电源内阻，通常RoZ《RL:。因电源电势不影响干扰电压，在图上未表示出。UZ可用下式估算，即 _R，，R。，_。__ U，勺U，口C二二业牛架一勺Uo CR。，(l) 一‘一‘一RLZ+RoZ一’一‘、U‘ 。~2二f，C可根据导线长度l计算:C一‘，l，‘，为
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条