2) majority-carrier accumulation
多数载流子积累
1.
The majority-carrier accumulation layer is formed in the drift region because of the extended gate when the device is in the on state,and the concentration of drift region is higher than that in conventional SOI-LDMOS with the same breakdown voltage due to from the additional electric field modulat.
由于扩展栅电极的电场调制作用使FSOI-LDMOS在比一般SOI-LDMOS浓度高的漂移区表面,包括折叠硅槽侧面形成多数载流子积累,积累的多数载流子大大降低了漂移区的导通电阻。
4) carrier number
载流子数
1.
This paper models the carrier number in silicon semiconductor using the method of grand canonical ensemble and Fermi-Dirac statistical distributions.
将巨正则系综的Fermi-Dirac(F-D)统计法与计算机模拟相结合,从本征半导体硅出发,探讨温度和光照能量对载流子数的影响,试图从理论上定量分析太阳能电池工作状况,对本征硅半导体中载流子数进行计算机模拟,模拟结果与理论规律基本吻合,此方法可为进一步研究掺杂半导体及氧化物半导体空间电荷层载流子数提供参考。
5) Effect of majority carrier removing
多数载流子去除效应
6) majority emitter
多数载流子发射极
补充资料：多数载流子
分子式：
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中主要承担电导的载流子，简称多子，如n型半导体的电子，p型半导体的空穴。
CAS号：
性质：在掺杂半导体，即非本征半导体中主要承担电导的载流子，简称多子，如n型半导体的电子，p型半导体的空穴。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条