1) n dopant source
n 型杂质源
2) n doped source
n 型掺杂的源极
3) n-type doping
n型掺杂
1.
In this paper we mainly study preparation, properties and n-type doping of cubic boron nitride thin films.
本文主要研究立方氮化硼的制备、性质和n型掺杂等内容。
2.
In this paper, the mechanisms of the reaction about N-type doping polysilicon which take PCl_3/H_2 as phosphor source were investigated theoretically for the first time with Gaussian98 program at B3LYP/6-311G** level.
本文分别研究了PCl_3/H_2在气相中和在硅衬底表面上的微观反应机理,以期为半导体N型掺杂技术提供必要的理论依据。
4) nitrogen sources
N源
1.
Effect of different nitrogen sources on pH and phosphorus availability in the root-soil interface zone of Pinus massoniana
不同N源对马尾松幼苗根/土界面pH及P素有效性的影响
5) N,N-heterocyclic base
N,N-杂环碱
6) n-type
n型
1.
Structural characterization and properties of co-doping n-type CVD diamond films;
共掺杂n型CVD金刚石薄膜的结构和性能
2.
Effects of Pancuronium on Whole-cell N-type Calcium Currents of Rat Superior Cervical Ganglia;
泮库溴铵对大鼠颈上交感神经元全细胞N型钙通道电流的影响及其机制的探讨
3.
Low resistivity n-type diamond films were prepared by boron and phosphorus co-doping with the ion implantation method.
用离子注入方法,在CVD金刚石薄膜中共注入硼离子和磷离子,得到了电阻率较低的n型金刚石薄膜。
补充资料：掺杂型结构导电高分子
分子式：
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
CAS号：
性质：结构型导电高分子是指高分子本身具有导电结构，不需借助外加导电性材料的聚合物，多为线性共轭聚合物和某些高分子金属络合物。这些聚合物经过掺杂处理之后形成电荷转移络合物，掺杂后其电导率可以大幅度提高，一般可以提高几个数量级，甚至可以接近常见金属导体的电导率，如聚乙炔和聚吡咯经化学或者电化学掺杂处理后，其电导率可以达到102S/cm以上，在某些场合可以替代金属材料。其特点和应用参见本征型导电高分子。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条