1) twice broken boundary characteristic
二次击穿临界线
2) second breakdown
二次击穿
1.
In this paper, the mechanism of the thermal and the electrical second breakdown of voltage regulator D574 were disscused.
本文分析了Ｄ５７４集成稳压器热二次击穿和电二次击穿的机理，详细论述了发生这两类二次击穿的条件和原因。
2.
A method to exact the electrical parameters and model the second breakdown action of MOSFET’s under ESD (Electro-Static Discharge) on circuit-level, using TCAD simulation, is presented.
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。
3.
A criterion for second breakdown is obtained,i.
得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。
3) the secondary breakdown region
二次击穿区
4) critical breakdown voltage
临界击穿电压
5) breakup field
临界击穿电场
6) critical breakdown potential
临界击穿电位
补充资料：电气装置安装工程盘、柜及二次回路结线施工及验收规范
《电气装置安装工程盘、柜及二次回路结线施工及验收规范》GB50171-92
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