1) silicon gate
硅栅极
2) polycrystalline silicon gate
多晶硅栅极
3) gate turn-off thyristor,GTO
栅极关断可控硅
4) polycide gate
多晶硅 硅化物栅极
5) silicon gate
硅栅
1.
The etching process for the 90 nm polycrystalline silicon gate was developed on the bases of a given layer stack pattern wafer with a hard-mask consisting of oxidation layer,polycrystalline silicon,SiO2 and SiON.
重点以具有栅氧化层、多晶硅层、二氧化硅和氮氧化硅复合硬掩膜层的典型结构图形晶片为基础,开展应用于90 nm技术节点的多晶硅栅的刻蚀工艺的研发,深入分析了氯气、溴化氢和氧气等反应气体在工艺中的作用,优化了工艺参数,得到了满足90 nm技术节点工艺要求的刻蚀结果。
6) grid
[英][ɡrɪd] [美][grɪd]
栅极格栅
补充资料：多晶
分子式：
CAS号：
性质：多晶(体)是众多取向机遇的单晶(体)的集合。多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础，对同一品种晶体来说，两者本质相同。两者不同处在于单晶是各向异性的，多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时，多晶样亦有其特色。多晶体中当晶粒粒度较小时，晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象，样品清晰度差，呈散射光。这种场合的多晶亦常称作粉晶(powder crystal)。
CAS号：
性质：多晶(体)是众多取向机遇的单晶(体)的集合。多晶与单晶内部均以点阵式的周期性结构为其基础，对同一品种晶体来说，两者本质相同。两者不同处在于单晶是各向异性的，多晶则是各向同性的。在摄取多晶衍射图或进行衍射计数时，多晶样亦有其特色。多晶体中当晶粒粒度较小时，晶粒难于直观呈现晶面、晶棱等形象，样品清晰度差，呈散射光。这种场合的多晶亦常称作粉晶(powder crystal)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条