4) IC package
集成电路封装
1.
Based on the progress of technology in IC and the development of IC package,the key steps of IC package,as well as the rules of developing are found out by means of consideration of internal and external factors.
本文结合了集成电路技术的进步 ,通过对集成电路封装发展的探索 ,找出了其中的关键步骤 ,提出了发展中的内外因素 ,摸索其规律 ,并作出了封装今后发展趋势的设
6) encapsulated integrated circuit
封装集成电路
补充资料：砷化镓集成电路
| 砷化镓集成电路 GaAs integrared circuit 用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初，由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破，使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比，GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征，因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多，集成规模受到限制，成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域，后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。 |
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参考词条