2) epitaxial vapor growth
外延气相生长<冶>
3) epitaxial vapor growth
外延气相生长
4) vapour-phase epitaxial-growth technique
气相外延生长技术
5) vapour-liquid-solid epitaxial growth
气-液-固相外延生长法
6) liquid phase epitaxy
液相外延生长
1.
The studies on initial stage of REBa2Cu3O7-δ (REBCO) liquid phase epitaxy growth on MgO substrate were reviewed.
本文综述了RE(RE=Y,Nd)BCO高温超导体厚膜在MgO基片上液相外延生长(Liquid Phase Epitaxy,LPE)的初始阶段研究。
补充资料：气相外延
分子式：
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
CAS号：
性质：在气相状态下，将半导体材料淀积在单晶片上，使它沿着单晶片的结晶轴方向生长出一层厚度和电阻率合乎要求的单晶层，这一工艺称为气相外延。其特点有（1）外延生长温度高，生长时间长，因而可以制造较厚的外延层；（2）在外延过程中可以任意改变杂质的浓度和导电类型。工业生产常用的气相外延工艺有：四氯化硅（锗）外延，硅（锗）烷外延、三氯氢硅及二氯二氢硅等（二氯二氢硅具有淀积温度低，沉积速度快，淀积成膜均匀等优点）外延等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条