补充资料：固相外延

固相外延
solid phase epitaxy

固相外延、sohd Phase即itaxy借助固相反应在单晶衬底上进行外延的方法。简称SPE。由于SPE对研制三维Si结构材料和对单片热电子器件十分重要，并且有望进一步提高超大规模集成电路的集成度，因此已广泛地研究了Si和Ge上离子注入层和非晶层的SPEo此外，SPE工艺因适宜于非晶硅和非晶GaAs的二维生长、选择腐蚀以及避免离子注入的沟导和辐射损伤效应而受到重视，但它的发展不快。 Si的SPE工艺可以分为两种:①不需要金属或化合物层作输运媒质的SPE法。指离子注入后非晶半导体的有序化和再结晶。②需要输运媒质的SPE法。按半导体与金属的反应分成两类。一是共晶体系类，在这类SPE中金属膜与半导体形成简单的共晶体。例如在Si(非晶)/AI/Si体系中形成AI/Si共晶体。用这种方法已生长了Si器件的平面结构并研究了它们的生长动力学。二是化合物体系类。在这类SPE中金属膜与半导体形成化合物。例如在51(非晶)/Pdsi/51体系中由于Pd与Si之间的高反应性，形成PdZSi化合物。这样，消除了Si表面的氧化层，为SPE的均匀成核和生长提供清洁的表面。 与Si相比，化合物半导体的SPE生长开始较晚。虽然已证实，在制备N一GaAs欧姆接触时GaAs(衬底)/M/X体系中因中间金属相M的存在而发生掺杂(或合金)GaAs的固相生长，但真正的GaAs SPE在不久前才见报道。在GaAs衬底上首先沉积45nln厚的A宫，然后在GaAs/Ag体系中溅射110nln厚的GaAs层，并在其上覆盖非晶Ta一si一Ni薄膜。最后将整个体系放在550℃中退火。此时，Ga和As通过Ag层输运到GaAs衬底进行SPE生长。这一情况与Si的第二类SPE机理完全相同。 化合物半导体的SPE已用于在生长起始阶段实现二维生长和消除GaAs/Si和InP/GaAs体系界面的缺陷。对GaAs/Si体系，首先在Si表面沉积一层As，接着在低温下生长a一GaAs层，然后进行SPE。已第一次在Si衬底上获得了连续的GaAs层(20人)，抑制了三维生长，获得了高质量的GaAs外延层。对InP/GaAs体系，可在GaAs衬底上先用分子束外延(MBD法在580℃生长一层厚度为一0 .1八m的GaAs缓冲层，接着在室温时沉积一层a一InP层，然后在45℃进行InP的SPE。已在GaAs衬底表面得出极薄(30一40人)、极平整的InP SPE层，并且在该层上再用MBE生长InP层。这样生长的MBE InP外延层避免了二维生长，获得了高质量的InP/GaAs异质结构材料。(彭瑞伍)

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。