1) two dimensional electron system
二维电子系
2) 2D electron system
二维电子系统
4) two-dimensional electron gas
二维电子气
1.
The weak antilocalization and localization phenomenon in AlGaN/GaN two-dimensional electron gas;
Al_(0.22)Ga_(0.78)N/GaN二维电子气中的弱局域和反弱局域效应
2.
Weak anti-localization in InAlAs/InGaAs/InAlAs high mobility two-dimensional electron gas systems;
InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱高迁移率二维电子气系统中的反弱局域效应研究
3.
Applying the theories on quasi-classical particles and the uncertainty relation of quantum mechanics,we deduce the formula of energy uncertainty with electric field and energy analytic expression of 2DEG(two-dimensional electron gas) in the parabolic well and its energy width.
应用准经典粒子理论和量子力学测不准关系,得到了在抛物线型势阱中二维电子气的能级宽度。
5) two dimensional electron gas
二维电子气
1.
The transport property of two dimensional electron gas in AlGaN/AlN/GaN structure;
AlGaN/AlN/GaN结构中二维电子气的输运特性
2.
The thermal transport properties of two dimensional electron gas in a one dimensional periodic magnetic field in the regime of linear response, including the thermopower, thermal conductivity and the thermal resistivity are studied.
在线性响应理论的框架内讨论了一维调制磁场中二维电子气的热电系数Ｓμυ，热传导系数κμυ及热阻系数（κ－１）μυ等热力学输运特性。
3.
Concentration and spatial distribution of the two dimensional electron gas (2DEG) near the Al 0.
78N/ Ga N异质结界面二维电子气 (2 DEG)浓度及其空间分布 。
6) 2DEG
二维电子气
1.
High-Temperature Transport Properties of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures;
AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质
2.
The 2DEG Induced by Polarization and Current Collapse in GaN-Based HFET;
GaN基HFET中极化诱导二维电子气和电流崩塌效应
3.
The polarization and 2DEG in AlGaN/GaN heterostructures;
AlGaN/GaN异质结极化行为与二维电子气
补充资料：二维电子气
当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，其中就会积累起大量的电子。如果表面上的电场很强，这些电子形成一个薄层（厚度小于10-6 厘米）。这时电子沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。这样一个薄的电子层称为二维电子气。例如金属-氧化物-半导体结构中的反型层和积累层，以及在两种不同半导体形成的异质结界面附近都会形成二维电子气。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条