1) 2D digital map
二维电子地图
1.
This paper presents an idea to construct a virtual scene system,which can respond with 2D digital map system one another,introduces the details of system’s frame and functions.
提出并建立了一个虚拟三维场景与二维电子地图交互系统。
2) CAXA EB/V2
二维电子图板
1.
The data interface and transformation between the two excellent native CAD software, CAXA EB/V2 and CAXA 3D/V2 are studied and then a new convenient method to draw three-dimensional parts via CAXA software is proposed.
提出了利用国产CAD软件绘制标准件和常用件三维造型的方法,阐述了国产CAD软件的优点以及二维与三维结合造型的特点,讨论了三维电子图板和二维电子图板之间的数据接口、转换以及绘制标准件和常用件造型的简便方法,指出了软件标准化在工程实践中的重要意义。
3) 3D electronic map
三维电子地图
1.
The study provides some experiences for the further research in 3D electronic mapand other relevant technologies.
以OpenGL技术为基础,应用支持动态显示的相关技术:多分辨率地形模型技术(LOD)、动态场景装载技术(DOL)、大面积数据管理等技术、地物三维显示的相关技术(目标剔除技术、Instance技术、M ip-M ap纹理贴图),对三维电子地图的技术实现进行了实践,为三维电子地图的进一步研究以及相关技术的研究提供了可以借鉴的经验。
4) 3-D digital terrain map
三维电子地形图
1.
The dissertation makes a presentation of the research and realization of the 3-D digital terrain map.
本文介绍了为我军装甲机械化部队坦克师战场装甲侦察系统发展以及模拟训练系统所需而研制的三维电子地形图的数据生成和三维动态显示系统。
5) WebEmap
万维网电子地图
补充资料：二维电子气
当半导体表面上加一个与表面垂直的电场，在表面附近形成电子势阱，其中就会积累起大量的电子。如果表面上的电场很强，这些电子形成一个薄层（厚度小于10-6 厘米）。这时电子沿垂直于表面方向的运动变得量子化，即它的能量只能取一系列的分立值；而平行于表面的运动仍是自由的，能量可以是任意值。这样一个薄的电子层称为二维电子气。例如金属-氧化物-半导体结构中的反型层和积累层，以及在两种不同半导体形成的异质结界面附近都会形成二维电子气。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
二维电子气中，电子的总能量为垂直于表面运动的能量（分立值）与平行于表面运动的能量（可以连续变化）之和，这一系列能量状态形成许多个子能带。在很低的温度下，二维电子气呈现一系列特异的量子效应。如果垂直于表面加一个强磁场，每个子能带会变成一系列朗道能级，成为能量完全分立的系统。半导体表面附近有时也会积累起大量的空穴，这时会形成类似的二维空穴气。
1957年，J.R.施里弗从理论上预示了反型层电子的二维运动特性，1966年，A.B.福勒尔等人从实验上证实了这一论述。此后物理学家们进行了大量的理论和实验研究工作。1980年,K.克利钦发现二维电子气的霍尔电阻特性具有量子化的"平台"，其数值精确地等于基本常数h/e2的N分之一（h为普朗克常数,e为电子电荷，N为正整数）。h/e2具有电阻的量纲（约25812.8欧）,因此量子霍尔电阻可能用来作为电阻的自然基准，并且有不受环境条件影响的优点。1982年，美国贝尔实验室的科学家们又发现霍尔平台可以出现在N 取1/3和2/3等分数值的情况。对二维电子气的这些重要物理特性的研究促进了固体物理学的发展。对二维电子气的深入研究有助于了解它的基本物理过程。由于半导体异质结界面处二维电子气中的电子迁移率很高，1980年以来已被利用来研制超高速电子器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条