1) spin exchange relaxation
自旋交换张弛
2) Spin exchange
自旋交换
3) spin-spin interchange
自旋-自旋交换
4) Spin super-exchange
自旋超交换
5) spin relaxation
自旋弛豫
1.
A spin relaxation lifetime of 490±70 ps was obtained at room temperature.
获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理。
2.
Under non-resonant excitation, the spin relaxation lifetimes of 3.
实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3。
3.
In this paper,a brief review on spin relaxation in semiconductors is given.
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。
6) relaxation inverter
张弛换流器
补充资料：自旋-自旋弛豫
自旋-自旋弛豫
磁共振成像术语。又称T2弛豫或横向弛豫(transverse relaxation)，指垂直于外磁场B0方向的磁化矢量的指数性衰减过程。磁共振成像时，对置于外磁场B0中的自旋系统施加90°射频脉冲，则自旋系统被激励，其净磁化矢量指向与外磁场B0垂直；射频脉冲终止后，被激励的质子与邻近的原子核之间发生相互作用，逐渐失去相位，净磁化矢量指向恢复与外磁场平行，该过程称自旋-自旋弛豫。自旋-自旋弛豫过程无能量交换。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条