1) ~(13)C spin relaxation
￣(13)C核自旋弛豫
2) spin relaxation
自旋弛豫
1.
A spin relaxation lifetime of 490±70 ps was obtained at room temperature.
获得初始自旋偏振度约为0·2,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶0·94的观点·同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理。
2.
Under non-resonant excitation, the spin relaxation lifetimes of 3.
实验发现,在非共振激发条件下,厚度为1/3单层的InAs亚单层中电子自旋弛豫寿命长达3。
3.
In this paper,a brief review on spin relaxation in semiconductors is given.
本文对半导体中的自旋弛豫过程给出一个简要的回顾,介绍了半导体材料从体材料到量子阱、量子线、量子点不同维数的结构中各种自旋弛豫过程,主要关注了自旋去相位和相干控制。
3) Spin-spin relaxation
自旋-自旋弛豫
4) spin excitation delay
自旋激发弛豫
1.
The spin excitation delay for granular films with ferromagnetic granules;
含铁磁颗粒的颗粒膜自旋激发弛豫研究
5) Spin-lattice relaxation
自旋-晶格弛豫
6) electron spin relaxation
电子自旋弛豫
1.
It is found that spin relaxation lifetime of electrons lengthens with increasing excitation energy density for both samples, and the annealed (Ga,Mn)As has shorter carrier recombination and electron spin relaxation lifetimes as well as larger Kerr rotation angle than the as-grown (Ga,Mn).
运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理。
补充资料：核自旋
| 核自旋 nucleus spin 原子核的重要性质之一。核自旋角动量的简称。原子核由质子和中子组成，质子和中子都有确定的自旋角动量，它们在核内还有轨道运动，相应地有轨道角动量。所有这些角动量的总和就是原子核的自旋角动量，反映了原子核的内禀特性。通常以约化普朗克常数h为衡量单位，核自旋角动量的最大投影值I称为核自旋，它也就是核的自旋量子数。核处于基态时，偶A核的自旋为零或整数，其中偶偶核的自旋为零，奇奇核的自旋为整数；奇A核的自旋为半整数（见原子核）。核自旋是核内部结构的反映，根据核壳层模型（见原子核模型）可以相当好地说明基态核的自旋值。自旋为零或整数的偶A核属于玻色子，遵从玻色-爱因斯坦分布；自旋为半整数的奇A核属于费米子，遵从费米-狄拉克分布和泡利不相容原理。核处于各激发态时，由于核子轨道运动状态不同，因而有不同的核自旋。各激发态的核自旋是核能级的标记之一。 核因有自旋而具有磁矩，可影响核外电子的运动，造成核外电子能级的超精细分裂，引起原子光谱的超精细结构。对原子光谱超精细结构的分析，是获得核自旋数据的重要方法之一。另一种获得核自旋数据的重要方法是通过核衰变和核反应来确定。 通过加速重离子产生的重离子反应可获得核自旋达100的高自旋态。研究高自旋态是核物理前沿极为活跃的领域。 |
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参考词条