2) freeboard combustion zone
悬浮燃烧区
3) floating zone refining
悬浮区熔提纯
1.
In the process of floating zone refining neodymium bar with induction heating, the electromagnetic forces exerted on floating melted zone of neodymium bar by high frequency current in induction coil were calculated.
计算了感应加热悬浮区熔提纯钕棒过程中 ,感应线圈中的高频电流作用在钕棒悬浮熔区上的电磁力 。
4) electron beam floating zone melting
电子束悬浮区熔
1.
As an example of monocrystal W,Mo and alloys,the development of the directional solidification technology with electron beam floating zone melting for the preparation of refractory m.
本文综述了难熔金属及合金的应用和发展,以钼、钨及其合金单晶的发展历程为例,概述了难熔金属单晶的电子束悬浮区熔定向凝固制备技术的发展,简要介绍了难熔金属钼的电子束悬浮区熔定向凝固生长工艺与组织的研究。
2.
The directionally solidified Si-TaSi_2 eutectic in situ composite for field emission was pre- pared with the electron beam floating zone melting (EBFZM) technique.
采用电子束悬浮区熔装置(EBFZM)制备了Si-TaSi_2共晶自生复合场发射材料,系统地研究了Si-TaSi_+2共晶的定向凝固组织特征。
5) floating zone-melting growth
悬浮区熔生长法
6) floating zone-melting
悬浮区域熔炼<冶>
补充资料：悬浮区熔单晶炉
悬浮区熔单晶炉
float zone crystal growth furnace
xuanfu qurong danj旧g!u悬浮区熔单晶炉(float zone erystal growthfurnace)用于悬浮区熔提纯与悬浮单晶生长的装置。主要用于区熔硅的提纯和单晶生长，已用于工业生产半导休材料。结构由两部分组成，即炉室和机械传动部分以及电气控制柜和高频发生器部分。炉室为一不锈钢水套式直立容器，可抽高真空或通入流动氢气。从炉室顶底端各插入上轴和下轴，上轴下端夹持一根多晶硅棒，下轴顶端夹持一籽晶。炉室中央装设一单匝高频加热线圈。上下轴可分别旋转和升降。电气控制柜上装有指示仪表、调速旋钮、按钮开关。柜内装有电机控制系统等。高频发生器的频率为2~2.SMHz、功率为40一6okw。炉子结构如图所示。 20世纪50年代时的区熔炉多为多匝线圈石英管外热式炉，直径小(小成Zbmm)。60年代以后演变为单企 悬浮区熔单晶炉结构示意图 1一上轴;2一上出气口;3一上夹头沮一多晶币一炉室;6一熔区. 7一线圈;8一窥视孔四一单晶;10一籽晶.H一籽晶夹头;12一抽 真空口;13一进气口;14一密封圈;15一下出气口;16一内套筒; 17一外套简;18一滑板.19一下轴匝线圈、不锈钢炉室内热式炉，采用高纯流动氮气氛，单晶直径增至50mm。70年代，单晶的直径达76.Zmm，同时炉室中增设了晶体夹持机构，因此避免了区熔长的单晶时会出现硅棒歪倒、熔区流失的事故。解决了生长大直径长单晶的技术间题。80年代以来，能大量生产中10。一125mm单晶的大型区熔炉已被应用于硅材料的生产中。也有少数设备利用计算机控制拉晶过程。目前拉制小15Omm的大型区熔炉也已试制出来。使用高真空区熔炉可在高真空下进行硅棒的区域提纯;以制备特高阻的单晶硅。 现代区熔炉的特点:(l)高大的不锈钢炉室，炉子总高度达到7一sm以上。(2)上下轴行程长达1.5~Zm，可生产长单晶。(3)特殊设计的单匝高频线圈，甚至有活动可分离式线圈。(4)高频发生器功率达60kw以上，振荡频率为2一2.SMH:。(5)自动化程度高，采用计算机进行数据采集和处理。(6)具有晶体夹持机构。(7)电极筒为移动式的。(8)具有高纯氢循环使用系统和冷却水循环系统。 f曹诵钻粱吏、
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