1) EBFZM
电子束悬浮区域熔炼(EBFZM)
2) electron beam floating zone-melting
电子束悬浮区域熔炼<冶>
3) electron beam floating zone melting
电子束悬浮区熔
1.
As an example of monocrystal W,Mo and alloys,the development of the directional solidification technology with electron beam floating zone melting for the preparation of refractory m.
本文综述了难熔金属及合金的应用和发展,以钼、钨及其合金单晶的发展历程为例,概述了难熔金属单晶的电子束悬浮区熔定向凝固制备技术的发展,简要介绍了难熔金属钼的电子束悬浮区熔定向凝固生长工艺与组织的研究。
2.
The directionally solidified Si-TaSi_2 eutectic in situ composite for field emission was pre- pared with the electron beam floating zone melting (EBFZM) technique.
采用电子束悬浮区熔装置(EBFZM)制备了Si-TaSi_2共晶自生复合场发射材料,系统地研究了Si-TaSi_+2共晶的定向凝固组织特征。
4) electron beam floating zone melting
电子束区域熔炼
5) floating zone-melting
悬浮区域熔炼<冶>
补充资料：区域熔炼
指根据液体混合物在冷凝结晶过程中组分重新分布（称为偏析）的原理，通过多次熔融和凝固，制备高纯度的（可达99.999％）金属、半导体材料和有机化合物的一种提纯方法，属于热质传递过程。此法是由W.G.范在1952年提出的，最初应用于高纯度锗的生产。
区域熔炼的典型方法是将被提纯的材料制成长度为0.5～3m（或更长些）的细棒，通过高频感应加热,使一小段固体熔融成液态，熔融区液相温度仅比固体材料的熔点高几度，稍加冷却就会析出固相。熔融区沿轴向缓慢移动（每小时几至十几厘米）。杂质的存在一般会降低纯物质的熔点，所以熔融区内含有杂质的部分较难凝固，而纯度较高的部分较易凝固，因而析出固相的纯度高于液相。随着熔融区向前移动，杂质也随着移动，最后富集于棒的一端，予以切除。一次区域熔炼往往不能满足所要求的纯度，通常须经多次重复操作，或在一次操作中沿细棒的长度依次形成几个熔融区。
区域熔炼设备简单，产品纯度高，操作可以自动化，但生产效率低。目前，已经用于制备铝、镓、锑、铜、铁、银等高纯金属材料。
区域熔炼的典型方法是将被提纯的材料制成长度为0.5～3m（或更长些）的细棒，通过高频感应加热,使一小段固体熔融成液态，熔融区液相温度仅比固体材料的熔点高几度，稍加冷却就会析出固相。熔融区沿轴向缓慢移动（每小时几至十几厘米）。杂质的存在一般会降低纯物质的熔点，所以熔融区内含有杂质的部分较难凝固，而纯度较高的部分较易凝固，因而析出固相的纯度高于液相。随着熔融区向前移动，杂质也随着移动，最后富集于棒的一端，予以切除。一次区域熔炼往往不能满足所要求的纯度，通常须经多次重复操作，或在一次操作中沿细棒的长度依次形成几个熔融区。
区域熔炼设备简单，产品纯度高，操作可以自动化，但生产效率低。目前，已经用于制备铝、镓、锑、铜、铁、银等高纯金属材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条