1) rate of loading
载重率
3) wheel load reduction rate
轮重减载率
1.
Mainly discussed are the requirements and definitions of the track twisting conditions in testing and checking of the derailment coefficient and wheel load reduction rate,specified in China national standard GB/T 5599—1985,British railway technical standard GM/RT 2141—2000 and European standard prEN 14363(E)—2000.
重点讨论了我国国家标准GB/T 5599-1985、英国铁路技术标准GM/RT 2141-2000和欧洲标准prEN14363(E)-2000中在试验校核脱轨系数和轮重减载率时对线路扭曲条件的要求和定义。
4) wheel unloading rate
轮重减载率
1.
In the course of simutation of locomotive curvce passing,we have found that while all the index such as derailment coefficient,directive force and yaw angles meet criterion,the wheel unloading rate does not meet standard.
在对2C_0轴式机车进行曲线通过仿真计算中,经常发现在其他指标如脱轨系数、导向力和摇头角都符合标准时,轮重减载率的值却常常会超出标准。
5) rate of wheel load reduction
轮重减载率
1.
The time-history curve of wheel-rail interaction force, the derailment coefficient and the rate of wheel load reduction of the vehicle on bridge are given.
提速线路轻型墩桥梁横向振幅过大严重影响过往列车的安全,通过对轻型墩铁路桥的现场振动测试,得到了桥墩的横向振动特性,给出了列车过桥时轮轨作用力的典型时程曲线和列车的脱轨系数及轮重减载率,为进一步研究轻型桥墩的横向振动机理提供了实测数据。
2.
A field vibration test was conducted for Yinzhengou Bridge on JingTong Railway Line,resulting in the lateral vibration characteristics of the bridge,and a typical time-history curve of the wheel-rail action force,derailment coefficient of trains,and the rate of wheel load reduction,providing measured data for further study on the lateral vibration of rectangular-shaped bridge piers.
通过对京通线银镇沟桥的现场振动测试 ,得到该桥的横向振动特性 ,给出桥上列车轮轨作用力的典型时程曲线和列车的脱轨系数及轮重减载率 ,为进一步研究矩形桥墩的横向振动提供实测数据。
6) heavy duty
重载;高功率
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条