1) quantum detector
量子探测器
2) quantum-well infrared photodetector
量子阱探测器
1.
Solid-state THz quantum-well infrared photodetectors have many advantages such as fast responsivity, small size, ease of integration and mature fabrication technology.
基于半导体的全固态THz量子阱探测器(THzQWIP)具有探测响应速度快、制作工艺成熟、体积小和易集成等优点。
3) neutron flux detector
中子通量探测器
4) infrared quantum detector
红外量子探测器
5) quantum cascade detector
量子级联探测器
1.
The progress of GaAs-based,InP-based and GaN-based quantum cascade detector(QCD) is described,and some parameters of QCD,such as photocurrent responsibility,resistivity,andⅠ-Ⅴfeature are demonstrated.
综述了基于三大化合物半导体材料(GaAs基、InP基与GaN基)的量子级联探测器(QCD)的进展,对这三种材料体系的QCD的各种技术指标如光电流响应度、电阻、电流-电压特性等做了详细的说明,最后对其他半导体材料及新型结构的QCD做了展望。
6) quantum-dot infrared photodetector
量子点红外光子探测器
补充资料：单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条