1) polarization frequency effect
极化频率效应
2) Frequency effect
频率效应
1.
Frequency effect in reading aloud irregular Chinese characters: an fMRI study;
出声阅读条件下不规则汉字频率效应的功能磁共振成像研究
2.
The frequency effect of a low-MHz bi-beam ultrasonic irradiation;
低频双束超声辐照的频率效应(英文)
3.
It also described the relationship between age of acquisition effect and frequency effect, indicating that frequency is not merely age of acquisition effect in disguise.
该文简要概述了获得年龄数据的收集以及获得年龄在成人词典加工中的作用，重点介绍了获得年龄效应与频率效应的关系的研究，并对获得年龄效应的机制进行了简要的评述。
3) polarization effects
极化效应
1.
Using the energy band diagram and photoelectric response spectrum,the influence of the interface polarization effects on the photoelectric response of the photodetector is analyzed.
利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法。
4) polarization effect
极化效应
1.
the soil electrode polarization effect under direct current excitation is analyzed by theory.
从理论上分析了直流激励下土壤的极化效应,提出了一种双极性脉冲间歇电压激励的测量方法,设计了相应的转换电路、程控放大电路,实现了土壤电导的快速测量。
2.
Based on the measurements and the polarization effect,the cha.
65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收。
3.
The polarization effects in GaN-based HFET are analyzed on the basis of crystal structure and microelectronics theory.
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途。
5) polarization
[英][,pəulərai'zeiʃən] [美][,polərə'zeʃən]
极化效应
1.
Spectral responsivity curves of various AlGaN p-i-n photodetectors and the influence of polarization at the interface of AlGaN/GaN heterostructure on the UV/solar rejection ratios of p-GaN/i-Al_ 0.
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0。
2.
Based on the charge control theory,an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 。
补充资料：频率计量(见时间频率计量)
频率计量(见时间频率计量)
frequency metrology: see time and frequency metrology
口n IQ liliang顷率频率计皿(f比quency metrolo盯) 计t。见时闰
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条