1) Slow polarization effect
慢极化效应
1.
The slow polarization effect εrL=1.
研究了样品在正弦外电压作用下通过的电流,发现它主要是不遵从RLC电路方程的慢极化效应所提供的吸收电流,其幅值与位移电流的幅值相近。
2.
5TiO3(BST) ceramics in frequencies from 10-4Hz to 105 Hz, it can be proved that if slow polarization effect in a given sample is very larger than fast polarization effect, the set of AC circuit equations depending on which complex dielectric constants are calculated are proved not to be correct any longer.
用钛酸锶钡陶瓷在10~-4～10~5Hz范围内证明了虽可用常规方法测出一个复介电常数,但因样品中慢极化效应比熟知的快效应大得多,使交流测量所依据的公式不再正确,故得到的复介电谱只是形式上的,并没有具体的物理意义。
3.
The experiment shows that under the action of sinusoidal voltage, current flowing through the sample is mainly caused by the motion of slow polarization effect that do not obey RLC circuit equation.
实验观察到在正弦外电压作用下通过样品的电流主要是不遵从RLC电路方程的慢极化效应所提供。
3) polarization effects
极化效应
1.
Using the energy band diagram and photoelectric response spectrum,the influence of the interface polarization effects on the photoelectric response of the photodetector is analyzed.
利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法。
4) polarization effect
极化效应
1.
the soil electrode polarization effect under direct current excitation is analyzed by theory.
从理论上分析了直流激励下土壤的极化效应,提出了一种双极性脉冲间歇电压激励的测量方法,设计了相应的转换电路、程控放大电路,实现了土壤电导的快速测量。
2.
Based on the measurements and the polarization effect,the cha.
65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收。
3.
The polarization effects in GaN-based HFET are analyzed on the basis of crystal structure and microelectronics theory.
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途。
5) polarization
[英][,pəulərai'zeiʃən] [美][,polərə'zeʃən]
极化效应
1.
Spectral responsivity curves of various AlGaN p-i-n photodetectors and the influence of polarization at the interface of AlGaN/GaN heterostructure on the UV/solar rejection ratios of p-GaN/i-Al_ 0.
在漂移扩散方程的基础上建立了AlGaNp-i-n光电探测器的物理模型,分析了多种结构AlGaNp-i-n光电探测器的光谱响应,并讨论了AlGaN/GaN异质结界面极化效应对太阳盲区p-GaN/i-Al0。
2.
Based on the charge control theory,an accurate analytical model for the dc I V characteristics and small signal parameters of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) is developed considering the effects of polarization and parasitic source drain resistances.
基于电荷控制理论 ,考虑到极化效应和寄生漏源电阻的影响 ,建立了能精确模拟AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管直流I V特性和小信号参数的解析模型 。
6) reversed polarization effect
反极化效应
补充资料：极化效应
是城市特别是大城市通过其强烈的吸引力，将人、财、物、信息等自然、社会、精神的因素在城市高度凝聚
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条