1) polaron effect
极化子效应
1.
Influences of temperature and polaron effect on the ground state of quasi-two-dimensional strong-coupling exciton;
温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响
2.
The influences of lattice vibration and polaron effects on the ground state and the excited state of the system,for which the exciton is strongly coupled with interface-optical (IO) phonons but weakly or intermediately coupled with bulk-longitudinal-optical (LO) phonons in a quantum well,are studied using the linear-combination operator and the LLP variational method.
采用线性组合算符法和LLP变分法研究了晶格热振动和极化子效应对量子阱中激子与界面光学(IO)声子强耦合又与体纵光学(LO)声子弱、中耦合体系的基态和激发态的影响,推导出作为量子阱宽和温度函数的激子基态能量的移动和第一内部激发态能量的移动的表达式,以AgCl/AgBr/AgCl量子阱为例进行了数值计算。
3.
Within the framework of the effective-mass approximation, hydrogenic impurity states and the polaron effect in the strain GaN/Al_xGa_(1-x)N cylindrical wurtzite quantum dot are investigated by considering the influence of infinite barriers.
本文在有效质量近似下,研究了无限高势垒纤锌矿结构应变GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中的杂质态和极化子效应。
2) polaronic effect
极化子效应
1.
A modified LLP variational method is adopted to discuss the polaronic effect on the binding energy of an impurity in an infinite quantum well by considering the pressure and screening effects.
考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响。
4) neutron depolarization effect
中子退极化效应
5) polarization effects
极化效应
1.
Using the energy band diagram and photoelectric response spectrum,the influence of the interface polarization effects on the photoelectric response of the photodetector is analyzed.
利用自洽求解薛定谔-泊松方程计算了AlxGa1-xN/GaN异质结在无极化、完全极化和部分极化的能带图,结合光电响应谱的模拟,分析了界面极化效应对AlxGa1-xN/GaN异质结pin紫外光电探测器响应特性的影响并提出了改善方法。
6) polarization effect
极化效应
1.
the soil electrode polarization effect under direct current excitation is analyzed by theory.
从理论上分析了直流激励下土壤的极化效应,提出了一种双极性脉冲间歇电压激励的测量方法,设计了相应的转换电路、程控放大电路,实现了土壤电导的快速测量。
2.
Based on the measurements and the polarization effect,the cha.
65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收。
3.
The polarization effects in GaN-based HFET are analyzed on the basis of crystal structure and microelectronics theory.
文章从晶体结构和微电子学理论出发,介绍了GaN基异质结构效应晶体管(HFET)的极化效应,二维电子气(2DEG)的源、产生,极化对2DEG的影响以及提高2DEG浓度的方法;列举了三种典型的电流崩塌效应,介绍了其成因和抑制的方法,并对各种方法进行了比较;阐述了栅极场调控电极对GaN基器件电参数的影响,解释了提高器件击穿电压的原理,并对场调控电极对器件功率特性的影响进行了说明,从而指出利用场调控电极的GaN基HFET将会在微波高功率方面有很大的发展前途。
补充资料：极化效应
是城市特别是大城市通过其强烈的吸引力，将人、财、物、信息等自然、社会、精神的因素在城市高度凝聚
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条