1) misreed
穿错
2) threading dislocation
穿透位错
1.
Profile-fitting analyses indicate that the annealed ones have larger full widths at half maximum of (0002) rocking curve and lower densities of screw-type threading dislocations than the as-grown samples.
通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致。
2.
Even though threading dislocations in GaN epitaxial layers have been demonstrated to be effective nonradiative recombination centers,the CL band edge peak intensity does not decrease as the dislocation density increases.
结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少。
3) selvedgewrongdraw
边穿错
5) wrongsleying
错穿综筘
6) reedmisdraw
筘齿穿错
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
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参考词条