1) threading dislocation pairs
穿透位错对
2) threading dislocation
穿透位错
1.
Profile-fitting analyses indicate that the annealed ones have larger full widths at half maximum of (0002) rocking curve and lower densities of screw-type threading dislocations than the as-grown samples.
通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致。
2.
Even though threading dislocations in GaN epitaxial layers have been demonstrated to be effective nonradiative recombination centers,the CL band edge peak intensity does not decrease as the dislocation density increases.
结果表明,GaN外延层中的穿透位错是材料有效的非辐射复合中心,但GaN的CL带边峰强度并不随位错密度的增加而减少。
3) threading dislocation density
穿透位错密度
1.
15 arcsec and the threading dislocation density is 107cm-2,which indicates that the thick GaN films have the high quality,and are suitable for free-standing GaN substrates.
15arcsec,穿透位错密度(TDD)为107cm-2,外延生长的GaN厚膜晶体质量较好,可以作为自支撑GaN衬底。
4) logarithmic penetration relationship
对数穿透关系
5) penetrated convection drying
穿透对流式烘燥
6) full penetration butt weld
全穿透对焊焊缝
补充资料：配位体对位效应
分子式：
CAS号：
性质：又称配位体对位效应。在过渡金属络合物中，配位体与中心金属以及诸配位体之间都是相互影响的。如配位体L与X在络合物中五相处于反应（即对位），当配位体X被另一基团取代或进行同位素交换反应时，处于X对位的配位体L对上述取代或同位素交换反应时，处于X对位的配位体L对上述取代同位素交换反应的速度有一定影响，这种影响称为配位体反应效应。如X能被更快速取代，是称配位体L具有强反应效应。
CAS号：
性质：又称配位体对位效应。在过渡金属络合物中，配位体与中心金属以及诸配位体之间都是相互影响的。如配位体L与X在络合物中五相处于反应（即对位），当配位体X被另一基团取代或进行同位素交换反应时，处于X对位的配位体L对上述取代或同位素交换反应时，处于X对位的配位体L对上述取代同位素交换反应的速度有一定影响，这种影响称为配位体反应效应。如X能被更快速取代，是称配位体L具有强反应效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条