1) super high purity indium
超高纯铟
2) high-purity indium
高纯铟
1.
Preparation of high-purity indium by molten-purification and electrolysis process;
熔盐净化-电解法制备高纯铟
2.
The key factors in the hydrochloric acid dissolving-aluminum substitution-smelting-electrolysis process for the high-purity indium preparation from waste ITO (Indium-Tin-Oxide) target are investigated.
采用处理废ITO靶材制备高纯铟,研究各步骤中的主要影响因素。
3) high purity indium
高纯铟
1.
GFAAS with STPF Technique for the Determination of Trace Cadmiun and Stibium in High Purity Indium;
等温平台石墨炉原子吸收光谱法测定高纯铟中痕量杂质镉和锑
2.
Trace lead and arsenic in high purity indium were determined by graphite furnace atomic absorption spectrometry with STPF technique.
利用石墨炉原子吸收法,在等温平台条件下利用标准加入法直接测定了高纯铟中的痕量杂质铅和砷。
3.
The paper describes the new developments of producing high purity indium by vacuum distillation and thin layer fused salt electrolysis refining,as well as production of high purity metallic indium powder via disproportioning indium monoxide in aqueous medium.
报道了俄罗斯使用真空蒸馏和熔盐电解精炼制取高纯铟,以及用一氯化铟在水溶液中的歧化法制备金属铟粉的新进展。
4) high purity indium oxide
高纯氧化铟
5) high-purity trimethylindium
高纯三甲基铟
6) high-purity triethylindium
高纯三乙基铟
补充资料：高纯铟
分子式：In
CAS号：
性质： 杂质总含量小于10-5的金属铟，有5N，6N，7N三个品种。银白色，布氏硬度0.82～0.9，比铅还软。密度7.31g/cm3。熔点156.6℃。沸点2075℃。液态蒸气压低，在空气中稳定。主要采用电解法(固态阴极电解和液态汞齐电解)、真空处理、真空蒸馏、区域熔炼、歧化法等方法综合运用制备。主要用于锗晶体管，为铟化合物半导体原料，半导体掺杂剂、焊料等。
CAS号：
性质： 杂质总含量小于10-5的金属铟，有5N，6N，7N三个品种。银白色，布氏硬度0.82～0.9，比铅还软。密度7.31g/cm3。熔点156.6℃。沸点2075℃。液态蒸气压低，在空气中稳定。主要采用电解法(固态阴极电解和液态汞齐电解)、真空处理、真空蒸馏、区域熔炼、歧化法等方法综合运用制备。主要用于锗晶体管，为铟化合物半导体原料，半导体掺杂剂、焊料等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条