1) heterocrystal
异质晶体
2) allomorph,paramorph
同质异晶体，同质异晶物
3) heterojunction bipolar transistor
异质结晶体管
1.
InGaP-GaAs thin base (8 nm) dual heterojunction material is grown by molecular beam extension ( MBE) , and a heterojunction bipolar transistor( HBT) with negative differential resistance ( NDR) characteristic is fabricated.
采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
2.
A thin base (8nm) InGaP/GaAs dual heterojunction material is grown by MBE and a heterojunction bipolar transistor (HBT) with negative differential resistance (NDR) is fabricated.
采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管。
4) HBT
异质结晶体管
1.
Ultra High-Speed InP/InGaAs SHBTs with f_t of 210GHz;
f=210GHz的超高速InP/InGaAs单异质结晶体管(英文)
2.
Parameters Extraction of SiGe HBTs and the Simulation of Its Performances;
Si/SiGe异质结晶体管的参数提取与特性模拟
3.
A Study on Modeling of Frequency Characteristics for SiGe HBT s;
SiGe异质结晶体管频率特性模型研究
补充资料：聚异质同晶体
分子式：
CAS号：
性质：含有少于15％乙烯的聚丙烯嵌段共聚物。因美国Eastman kodak公司于1962年首先推出的工业产品而得名。含少量乙烯嵌段有利于改善聚丙烯的低温冲击强度。除乙烯外，还可以用其他单体来达到同样目的，例如1-丁烯、异戊二烯、四甲基丁二烯、氯乙烯、苯乙烯等。产品可作管道、容器、玩具、椅子等之用。目前此名词已不用，这种产品已归属于丙烯共聚物。
CAS号：
性质：含有少于15％乙烯的聚丙烯嵌段共聚物。因美国Eastman kodak公司于1962年首先推出的工业产品而得名。含少量乙烯嵌段有利于改善聚丙烯的低温冲击强度。除乙烯外，还可以用其他单体来达到同样目的，例如1-丁烯、异戊二烯、四甲基丁二烯、氯乙烯、苯乙烯等。产品可作管道、容器、玩具、椅子等之用。目前此名词已不用，这种产品已归属于丙烯共聚物。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条