1) germanium power diode
锗功率二极管
2) germanium power transistor
锗功率管
3) germaniumdiode
锗二极管
4) power diode
功率二极管
1.
We realize for the first time the local lifetime control by means of gettering platinum through the induced defects created by proton implantation in high-voltage power diodes.
与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。
2.
A novel SiGe/Si hetero-junction power diode with multilayer gradual changing doping concentration in the n~-region is proposed.
n- 区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+ (SiGe) n- n+ 异质结功率二极管 ,对该新结构的反向恢复特性及正反向I -V特性进行了模拟 ,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析。
5) power diodes
功率二极管
1.
Here we exploit the same benefits of SiGe material in a new application area,namely ultra fast power diodes.
与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性。
2.
Using MEDICI,the physical parameter models applicable for SiGeC/Si heterojunction power diodes are given.
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化。
3.
A novel SiGeC/Si heterojunction structure for p-i-n power diodes is presented.
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构。
6) SiGe diode
硅锗二极管
补充资料：功率二极管
功率二极管
power diode
gongIU erl一guon功率二极管(power diode)由一个PN结或一个半导体一金属结构形成的电力半导体器件。在电力电子及灵活交流精电装里中，功率二极管被广泛应用于整流、吸收及续流等电路中。功率二极管随着其应用范围的扩展，派生出了许多类型，如结型功率二极管、功率齐纳二极管、肖特基势垒二极管等。特别是由于近年来新型电力半导体器件的涌现，对与之配合的功率二极管的要求也在迅速发展。 半导体材料按导电性能可以分为N型半导体和P型半导体两种。主要以带负电荷的电子为载流子的材料，称为N型半导体;主要以带正电荷的空穴为载流子的材料，称为P型半导体。在同一块半导体材料中，如果一部分为N型区，另一部分为P型区，则二者的交界面被称为PN结。PN结电特性的最大特点就是不同方向导电的非对称性。如果P端接电压的正极，N端接负极(通常称正方向)，则电流在由零变为倾定值(例如1。。。A).甚至浪涌电流的范围内变化时，PN结上的压降始终保持在IV左右。反之，如果P端接负，N端接正(通常称反方向)，则在所加电压由零到器件能正常承受的电压范围内(如。~2000V)流通的电流只有10 mAt级。这种特性称为开关特性，正向为通态，反向为断态。形成导电非对称性的原因是在PN结处存在势垒，其电场方向是阻止N型侧的电子及P型侧的空穴向对方扩散。在加正向电压时，外加电压削弱了势垒，两侧的主要载流子可以自由地向对方扩散，于是表现为在低电压降下流通大电流。在加反向电压时，外加电压使PN结的势垒加强，直到势垒与外加电压相等，因而只有极小的漏电流可以流通。 在半导体基片上淀积一层金属而形成紧密的接触，称为金属一半导体接触。当半导体材料的掺杂浓度较低(如低于5X10，，cm一3)时，此接触表现出类似PN结的单向导电性。半导体和金属中的电子都能在获得一定能t后逸出半导体或金属表面进人真空，此能盘称为各自材料的逸出功.如金属的逸出功大于半导体的逸出功，则表明该金属中的电子比半导体中的电子较难进人真空。当两种材料在同一个晶格上形成紧密的接触时，半导体中电子很容易穿越界面进人金属，而金属中的电子则不能。于是半导体晶格中留下的带正电的杂质离子层与金属中带负电的电子层即形成势垒，其电场方向为阻止半导体中电子的进一步穿越，这样保持界面之外的金属和半导体仍为中性状态。
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参考词条