1) Power switching diodes
功率开关二极管
3) switching component
功率开关管
4) swithing mode power valve
开关功率管
5) power diode
功率二极管
1.
We realize for the first time the local lifetime control by means of gettering platinum through the induced defects created by proton implantation in high-voltage power diodes.
与传统扩铂技术相比 ,用此新技术制成的P i N功率二极管有可能实现更快的恢复速度、更大的软度恢复因子和更低的反向漏电。
2.
A novel SiGe/Si hetero-junction power diode with multilayer gradual changing doping concentration in the n~-region is proposed.
n- 区掺杂浓度采用多层渐变式结构的p+ (SiGe) n- n+ 异质结功率二极管 ,对该新结构的反向恢复特性及正反向I -V特性进行了模拟 ,从器件运行机理上对模拟结果做出了详细的分析。
6) power diodes
功率二极管
1.
Here we exploit the same benefits of SiGe material in a new application area,namely ultra fast power diodes.
与同结构的传统Si二极管相比,该功率二极管可以获得更短的反向恢复时间,低的正向压降,低的反向峰值电流,较软的恢复特性。
2.
Using MEDICI,the physical parameter models applicable for SiGeC/Si heterojunction power diodes are given.
将新器件结构与新型半导体材料相结合,提出了一种新型的n-区三层渐变掺杂理想欧姆接触型p+(SiGeC)-n--n+异质结功率二极管,并对n-区的杂质分布梯度进行了优化。
3.
A novel SiGeC/Si heterojunction structure for p-i-n power diodes is presented.
将SiGeC技术应用于功率半导体器件的特性改进,提出了一种新型p+(SiGeC)n-n+异质结功率二极管结构。
补充资料：开关二极管
半导体二极管在正向偏压下电阻很小，反向偏压下电阻很大，在开关电路中利用半导体二极管的这种单向导电特性就可以对电流起接通和关断的作用。用于这一目的的半导体二极管称为开关二极管。常用的开关二极管有PN结二极管、PIN二极管和肖特基势垒二极管,主要用于电子计算机、各种自动控制系统和微波电路中。开关二极管的开关时间主要由通态到关态的过渡时间决定，这个时间又称反向恢复时间。从开始加反向偏压时起到反向电流下降至起始值的1/10所需的时间称为反向恢复时间。当P+N开关二极管处于通态时，空穴从P+区注入到N区，形成正向通导电流，即通态时N区中总有一定的少数载流子储存。加上反偏压后,只有全部排除N区中储存的少数载流子,二极管才能处于关态。P+N开关二极管的反向恢复时间主要由排除 N区中储存少数载流子所需的时间决定。在硅P+N结型二极管中掺入金作为复合中心，可以缩短非平衡少数载流子的寿命，从而减小反向恢复时间，提高开关速度。直接带隙半导体材料(如GaAs)的少数载流子寿命比硅短得多，利用砷化镓材料可以制成超高速开关二极管。在金属薄膜与半导体面接触的肖特基势垒二极管中，少数载流子的储存效应小到可以忽略，它可用作超高速开关二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条