1) germanium rectifying diode
锗整流二极管
2) Ge rectifying transistor
锗整流管
3) germaniumdiode
锗二极管
4) rectifier diode
整流二极管
1.
The electrical parameter of the rectifier diode should be reflected with its absolute maximum ratings and electrical characteristics , while the absolute maximum ratings should be reflected with results of electrical characteristics parameter after testing.
整流二极管的电参数是要通过额定值参数和电特性参数来反映,而额定值参数是要通过试验后由电特性参数的测试结果来反映,电特性参数水平则是要通过电测试来确定,整流二极管的电特性指标不但与测试条件、环境条件等有关;更重要的还与测试方法有关,本文论述了测试方法如何影响整流二极管的电参数水平。
5) valve tube
二极整流管
补充资料：整流二极管
一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件。通常它包含一个PN结，有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。整流二极管具有明显的单向导电性,其伏安特性和电路符号如图2所示。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频整流电路。
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参考词条