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1)  pure metallic contact
纯金属接触
2)  metal contact
金属接触
3)  pure metallic contact
纯金属接点
4)  metal wiper
金属接触刷
5)  metal to-metal contact
金属与金属直接接触
6)  metal-semiconductor contact
金属-半导体接触
补充资料:纯金属


纯金属
pure metal

  chLzn!}nshu纯金属(p盯e metal)经过常规或特殊精炼除杂质的金属,也称精金属。理论的纯金属应是纯净不含杂质的,并有恒定的熔点和晶体结构。但任何金属都不能达到不含杂质的绝对纯度,故纯金属只有相对含义,它只是表明在技术上达到的标准。 分类依据杂质含量可分为工业纯金属和超纯金属。在生产实践中,能得到的一些工业纯常用有色金属的百分纯度为:锌99.995,铅99.994,锡99.95,镍99·99,铝99.7等。超纯金属的杂质含量在百万分之几数量级或主金属含量在99.9999%以上,而超纯半导体材料的杂质含量在十亿分之几数量级。 纯度的表示方法实际使用中,习惯以主金属含量的几个九(N)来表示,如杂质含量一般是指规定的某些杂质之和为百万分之一,即称为6个“9”或6N。广义的杂质是指化学杂质和物理杂质(结晶缺陷),后者是指位错及空位等;而化学杂质则是指基体以外的原子以代位或填隙等形式掺入。但只有当金属纯度达到很高标准时(如纯度gN以上的金属),物理杂质的概念才是有意义的。因此,目前工业生产的金属仍是以化学杂质含量作为标准,其表示方法有两种:‘种是以材料用途来表示,如“光谱级纯”、“电子级纯”等;另一种是以某种特征来表示,如半导体材料用载流子浓度,即一立方厘米的基本元素中起导电作用的杂质数(原子/cm‘)来表示,而金属则可用残余电阻率(P 4.:K/内。K)来表示,工业纯金属通常以主金属的百分含量来表示。 制取方法纯金属的制取过程可以概括为两种一是将金属化合物经过沉淀、溶剂萃取、离子交换等得到纯金属化合物,然后将其还原成纯金属。如纯金属钦,往往是TIC14经精馏提纯后再被还原成纯的海绵钦。二是得粗金属后,再提纯成纯金属。提纯方法有化学提纯法和物理提纯法两类。 化学提纯法主要有电解精炼、氧化精炼、氛化精炼、歧化冶金等。物理提纯法主要有区域提纯(见区域熔炼)、蒸馏、精馏精炼、拉制单晶、真空精炼等。拉制单晶是用籽晶或自生籽晶从熔体中拉制出单晶体使金属得到提纯的方法。物理提纯法设备简单,操作方便,试剂污染少,可作为最终的提纯手段。化学提纯法灵活性大,选择性强,但往往存在试剂砧污的缺点,在预提纯和中间提纯上得到广泛应用。但在生产中,两种方法往往相互配合使用。目前可以制备出纯度达12个,’9”的超高纯锗,也可制备7个“9”以上的高纯硅、砷、稼、锢等,这些高纯金属用作半导体工业材料。 检测方法纯金属的检测方法有活化分析,原子吸收光谱分析,荧光分光光度分析,质谱分析,化学光谱分析及气体分析等。 半导体中的电离浓度可以通过测定霍尔系数来确定,超纯嫁的纯度可通过测定残余电阻率来确定。
  
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参考词条