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1)  silicon gate technology
硅栅金属氧化物半导体工艺
2)  double poly process
双层多晶硅栅金属氧化物半导体工艺
3)  floating gate silicon process
浮栅硅金属氧化物半导体工艺
4)  isolated silicon gate cmos
绝缘硅栅互补金属氧化物半导体
5)  polycrystalline silicon gate mos
多晶硅栅金属氧化物半导体
6)  UMOS
U形多晶硅栅金属氧化物半导体
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

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