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1)  n well cmos process
n 阱互补金属氧化物半导体工艺
例句>>
2)  N-channel metal oxide semiconductor (NMOS)
N通道金属氧化半导体
3)  n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管
1.
Non-Gaussianity of noise in n-type metal oxide semiconductor field effect transistor
n型金属氧化物半导体场效应晶体管噪声非高斯性研究
更多例句>>
4)  NMOS N C Channel Metal Oxide Semiconductor
N沟信道金属氧化物半导体(电路)
5)  High Voltage NMOS
高压N型金属-氧化物-半导体
6)  NMOS devices
N沟金属-氧化物-半导体器件
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8

性质：暂无

制备方法：暂无

用途：用于轻、中度原发性高血压。

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